Prom – найбільший маркетплейс України

ULN2004AN Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА

Код: 00-00030200
В наличии
93.75 ₴
Карточка Rozetka
+1%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 500 ₴
Продавец LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
ULN2004AN Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА - фото 1 - id-p3082420237

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Texas Instruments

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00030200
Вид микросхемыdarlington, транзисторная матрица
Входное напряжение30В
Выходное напряжение50В
Выходной ток0,5А
Кол-во каналов7
КорпусDIP16
МонтажTHT
Рабочая температура-20...70°C
Тип микросхемыdriver
ULN2004AN Транзистор Дарлингтона
Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

70P03 P-канальный MOSFET, 30 В, 65 А, корпус TO-252.
70P03 P-канальный MOSFET, 30 В, 65 А, корпус TO-252.
37.50 ₴
STW21N65M5 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.179 Ом
STW21N65M5 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.179 Ом
727.50 ₴
Транзистор 2SC3585 R45 (уп. 5 шт.)
Транзистор 2SC3585 R45 (уп. 5 шт.)
117 ₴
146.25 ₴
IPW65R095C7XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 24 А, 0.084 Ом, TO-247, Through Hole
IPW65R095C7XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 24 А, 0.084 Ом, TO-247, Through Hole
1 640 ₴
C3M0280090D МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 280mOhm
C3M0280090D МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 280mOhm
668.80 ₴
IRF7314TRPBF-VB P-Channel 30V 7.3A 5W Surface Mount SO-8
IRF7314TRPBF-VB P-Channel 30V 7.3A 5W Surface Mount SO-8
32.50 ₴
Транзистор AON6240
Транзистор AON6240
163.55 ₴
204.44 ₴
IRLR7843TR(UMW) N-канальный MOSFET, 30 В, 161 А, 140 Вт, поверхностный монтаж (SMD), корпус TO-25.
IRLR7843TR(UMW) N-канальный MOSFET, 30 В, 161 А, 140 Вт, поверхностный монтаж (SMD), корпус TO-25.
37.50 ₴
IRFI4020H-117P TRANSISTOR,MOSFET,HALF BRIDGE,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,9.1A I(D),TO-220(5) :ROHS COMPLIANT: YES
IRFI4020H-117P TRANSISTOR,MOSFET,HALF BRIDGE,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,9.1A I(D),TO-220(5) :ROHS COMPLIANT: YES
658.80 ₴
FGH40N60SFTU IGBT транзистор, универсальный, 80 А, 2.3 В, 290 Вт, 600 В
FGH40N60SFTU IGBT транзистор, универсальный, 80 А, 2.3 В, 290 Вт, 600 В
557.50 ₴
Транзистор FQB10N60C, 600V, 10A, TO-263
Транзистор FQB10N60C, 600V, 10A, TO-263
100 ₴
FGL40N120ANDTU IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Rail
FGL40N120ANDTU IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Rail
2 011.30 ₴
IRG4PH50UPBF 1200V 45A 200W
IRG4PH50UPBF 1200V 45A 200W
920 ₴
STP8NK100Z MOSFET силовой транзистор - TO-220-3 , Тип : N , Uси : 1 кВ , Iс (25°C) : 6.6 А , Rси(вкл) : 1.85 Ом , 73 нКл , 10 В
STP8NK100Z MOSFET силовой транзистор - TO-220-3 , Тип : N , Uси : 1 кВ , Iс (25°C) : 6.6 А , Rси(вкл) : 1.85 Ом , 73 нКл , 10 В
1 571.30 ₴