Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор IGBT Infineon Technologies SGW25N120 Быстродействующий корпус S-IGBT Тип TO-247 Н/Д Н/Д SGW25N120

Код: 3406687639
В наличии
1 181 
New
Оплатить частями

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Изображение для Оплатить частями
    Без переплат*, от 197 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA213052990000026006014920162
Транзистор IGBT Infineon Technologies SGW25N120 Быстродействующий корпус S-IGBT Тип TO-247 Н/Д Н/Д SGW25N120 - фото 1 - id-p2816040407

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Infineon

Пользовательские характеристики

Q(Г)225 нС
Время задержки t(d)(on)45 нс
входная мощность2600 пФ
Задержка выключения t(d)(off)(2)730 нс
исполнениеДНЯО
Код производителяИНФ
КонфигурацияОдинокий
Модель из каталога производителяSGW25N120
Мощность (макс.) P(TOT)313 Вт
Напряжение коллектор-эмиттер U(CES)1200 В
Насыщенность VCE (макс.)3,6 В
Непрерывный ток(25°С) 50А
ПродюсерИнфинеон Технологии
СпецификацияБыстрый S-IGBT
Способ установкидля монтажа в отверстия
ТипSGW25N120
Тип входаСтандартный
Тип корпусаТО-247
Тип корпуса полупроводникаТО247-3-ПГ
Тип продуктаБТИЗ
Ток коллектора I(C)46 А
Ток утечки коллектора I(CES)350 мкА
Я (СМ)84 А
Транзистор IGBT Infineon Technologies SGW25N120 Быстродействующий корпус S-IGBT Тип TO-247 Н/Д Н/Д SGW25N120
Описание
Infineon Technologies SGW25N120 |
Был online: Сегодня
Apelsin
Apelsin
91% положительных отзывов