MRF8P26080HS Power Transistor RF Mosfet 28V up to 2595 MHz, 109 Watts CW Output Power

MRF8P26080HS – это высокочастотный полупроводниковый транзистор, разработанный для использования в мощных усилителях RF (радиочастоты). Он предназначен для работы в диапазоне UHF и S-band, что делает его популярным в телекоммуникационных приложениях, радиосвязи и базовых станциях.

* Integrated ESD Protection
* Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, up to 2595 MHz, 109 Watts CW Output Power
* Excellent Thermal Stability
* Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

Применение: Усилители мощности для базовых станций, радиолокационные системы, профессиональная радиосвязь
Этот транзистор является частью линейки мощных RF-усилителей от NXP Semiconductors (бывший Freescale), предназначенных для работы в условиях высокой мощности и температуры. Он устойчив к перегрузкам и обеспечивает низкие нелинейные искажения.

Основные характеристики MRF8P26080HS:
Тип: LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor)
Частотный диапазон: До 2600 МГц
Выходная мощность (Pout): 80 Вт
Коэффициент усиления: Около 16 дБ при 2600 МГц
КПД: Высокий КПД (обычно около 40% в типичных режимах работы)
Напряжение питания: 28 В
Корпус: NI-780S (фланцевый керамический корпус с хорошим теплоотводом)
Применение:
Усилители мощности для базовых станций LTE/WiMAX
Радиочастотные передатчики
Медицинские и промышленные генераторы ВЧ мощности
Особенности:
Высокая линейность и низкие искажения
Высокая термическая стабильность
Возможность работы в широкополосных схемах