Prom – найбільший маркетплейс України

Семистор TG40C80 40A 800V

Код: TR006-8
В наличии
10+ купили
181 ₴
190 ₴
Карточка Rozetka
+1%
бонусов с картой Rozetka
Продавец PLUM market
95%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA233052990000026003050584606
Семистор TG40C80 40A 800V - фото 1 - id-p2048195186
  • Семистор TG40C80 40A 800V - фото 1 - id-p2048195186
  • Семистор TG40C80 40A 800V - фото 2 - id-p2048195186

Характеристики и описание

Семистор TG40C80 40A 800V

Симистор TG40C80 предназначен для коммутации переменного тока до 40 А.
Используется в качестве переключающего элемента для устройств автоматической регулировки и коммутации цепей силовой автоматики.
Тип корпуса:  изолированный.
Диапазон температур от -40 до +125 °C.

Технические характеристики.

Максимальное напряжение в закрытом состоянии – 800В
Максимальный ток в открытом состоянии – 40А.
 

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
PLUM market
PLUM market
95% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт
RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт
732.50 ₴
AON6354 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 30В: 52А: 14Вт: DFN5x6
AON6354 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 30В: 52А: 14Вт: DFN5x6
25 ₴
AO4264E Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 10,5А, 2Вт, SO8, ESD
AO4264E Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 10,5А, 2Вт, SO8, ESD
27.50 ₴
Транзистор FS3401M (уп. 10 шт.)
Транзистор FS3401M (уп. 10 шт.)
85.16 ₴
106.45 ₴
Транзистор AGM1405F
Транзистор AGM1405F
140.28 ₴
175.35 ₴
SIHG70N60EF-GE3 N-channel MOSFET, 70 A, 600 V EF Series, 3-Pin TO-247AC
SIHG70N60EF-GE3 N-channel MOSFET, 70 A, 600 V EF Series, 3-Pin TO-247AC
865 ₴
C3M0120100K МОП-транзистор 1000V 120mOhm G3 SiC МОП-транзистор TO-247-4
C3M0120100K МОП-транзистор 1000V 120mOhm G3 SiC МОП-транзистор TO-247-4
1 857.50 ₴
IXFH60N50P3 Транзистор: N-MOSFET, Polar3, полевой, 500В, 60А, 1040Вт
IXFH60N50P3 Транзистор: N-MOSFET, Polar3, полевой, 500В, 60А, 1040Вт
1 187.50 ₴
IXFH10N80P Транзистор: N-MOSFET, Polar, польовий, 800В, 10А, 300Вт, TO247-3
IXFH10N80P Транзистор: N-MOSFET, Polar, польовий, 800В, 10А, 300Вт, TO247-3
776.30 ₴
IRLML6402TR(UMW) MOSFET P-канальный, 20 В, 3,7 А, SOT-23
IRLML6402TR(UMW) MOSFET P-канальный, 20 В, 3,7 А, SOT-23
6.30 ₴
Транзистор AON6240
Транзистор AON6240
163.55 ₴
204.44 ₴
IPA65R190C7XKSA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 650В: 8А: 30Вт: TO220FP
IPA65R190C7XKSA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 650В: 8А: 30Вт: TO220FP
436.30 ₴
SPA17N80C3 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.29 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
SPA17N80C3 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.29 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
683.80 ₴
IRFR9214TRPBF-VB Полевой МОП-транзистор (MOSFET) с P-каналом, напряжение 250 В, ток 6 А, корпус TO-252
IRFR9214TRPBF-VB Полевой МОП-транзистор (MOSFET) с P-каналом, напряжение 250 В, ток 6 А, корпус TO-252
143.80 ₴