Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор SUM45N25 в Украине

Транзистор полевой SUM45N25 (ТП0062)
Транзистор полевой SUM45N25 (ТП0062)
Готово к отправке
70 

Транзистор SUM45N25 оригинал (250V,45A), D2PAK
Транзистор SUM45N25 оригинал (250V,45A), D2PAK
Готово к отправке
60.16 

Транзистор T40N03G, N-Канальный, 45A 25V, TO-252, Демонтаж
Транзистор T40N03G, N-Канальный, 45A 25V, TO-252, Демонтаж
Готово к отправке
29 

100%
Транзистор MOSFET P45N02LD N 25V 45A TO-252
Транзистор MOSFET P45N02LD N 25V 45A TO-252
Готово к отправке
4.70 

AO3416A-UMW Транзистор N-MOSFET 20В 6.5А 25 мОм/6.5А, 4.5В
AO3416A-UMW Транзистор N-MOSFET 20В 6.5А 25 мОм/6.5А, 4.5В
В наличии
5 

FDV301N МОП-транзистор, N Канал, 220 мА, 25 В, 3.1 Ом, 4.5 В, 850 мВ
FDV301N МОП-транзистор, N Канал, 220 мА, 25 В, 3.1 Ом, 4.5 В, 850 мВ
В наличии
5 

IRLR8726TRPBF MOSFET транзистор - DPAK: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 86 А: Rси(вкл): 5.8...8 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
IRLR8726TRPBF MOSFET транзистор - DPAK: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 86 А: Rси(вкл): 5.8...8 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
В наличии
20 

IRF7807D2PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В:
IRF7807D2PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В:
В наличии
28.75 

IRLL014NTRPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 2 А: Rси(вкл): 0.14...0.28 Ом: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
IRLL014NTRPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 2 А: Rси(вкл): 0.14...0.28 Ом: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
В наличии
31.25 

Транзистор SUD25N06-45L marking 25N06-45 Vishay корпус TO-252
Транзистор SUD25N06-45L marking 25N06-45 Vishay корпус TO-252
Готово к отправке
220 

MOSFET N-Канал VISHAY SUM45N25-58 TO263
MOSFET N-Канал VISHAY SUM45N25-58 TO263
В наличии
384.65 

AO3416A-UMW Транзистор N-MOSFET 20В 6.5А 25 мОм/6.5А, 4.5В
AO3416A-UMW Транзистор N-MOSFET 20В 6.5А 25 мОм/6.5А, 4.5В
В наличии
5 

FDV301N МОП-транзистор, N Канал, 220 мА, 25 В, 3.1 Ом, 4.5 В, 850 мВ
FDV301N МОП-транзистор, N Канал, 220 мА, 25 В, 3.1 Ом, 4.5 В, 850 мВ
В наличии
5 

IRLR8726TRPBF MOSFET транзистор - DPAK: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 86 А: Rси(вкл): 5.8...8 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
IRLR8726TRPBF MOSFET транзистор - DPAK: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 86 А: Rси(вкл): 5.8...8 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
В наличии
20 

IRF7807D2PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В:
IRF7807D2PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В:
В наличии
28.75 

IRLL014NTRPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 2 А: Rси(вкл): 0.14...0.28 Ом: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
IRLL014NTRPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 2 А: Rси(вкл): 0.14...0.28 Ом: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
В наличии
31.25 

Транзистор BC817-40 NPN 45В 0.5А 0.25Вт (6C) SOT-23
Транзистор BC817-40 NPN 45В 0.5А 0.25Вт (6C) SOT-23
В наличии
2 

BC817-25 (6B) транзистор NPN 45В 0.8А SOT23
BC817-25 (6B) транзистор NPN 45В 0.8А SOT23
Готово к отправке
1.0 
1.09 

FDS8884 MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 8.5 А: Rси(вкл): 23...30 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Qзатв:
FDS8884 MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 8.5 А: Rси(вкл): 23...30 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Qзатв:
В наличии
45 

SMD25N05-45L mosfet транзистор N channel 50В 5А TO252
SMD25N05-45L mosfet транзистор N channel 50В 5А TO252
Готово к отправке
25.30 

IRF7807VD1PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В: Uзатв(макс): 20
IRF7807VD1PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В: Uзатв(макс): 20
В наличии
45 

FDS8884 MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 8.5 А: Rси(вкл): 23...30 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Qзатв:
FDS8884 MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 8.5 А: Rси(вкл): 23...30 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Qзатв:
В наличии
45 

NTMFS4835NT1G MOSFET транзистор -SO8-FL: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 104 А: Rси(вкл): 3.5...5 мОм: при Uзатв(ном): 4.5...10 В:
NTMFS4835NT1G MOSFET транзистор -SO8-FL: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 104 А: Rси(вкл): 3.5...5 мОм: при Uзатв(ном): 4.5...10 В:
В наличии
55 

IRF7807VD1PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В: Uзатв(макс): 20
IRF7807VD1PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В: Uзатв(макс): 20
В наличии
45 

FQPF5N60C MOSFET транзистор - TO-220-3FP, Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 4.5 А, Rси(вкл): 2.5 Ом
FQPF5N60C MOSFET транзистор - TO-220-3FP, Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 4.5 А, Rси(вкл): 2.5 Ом
В наличии
56.25 

IRFR4105PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 25 А: Rси(вкл): 45 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFR4105PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 25 А: Rси(вкл): 45 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
В наличии
58.75 

NTMFS4835NT1G MOSFET транзистор -SO8-FL: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 104 А: Rси(вкл): 3.5...5 мОм: при Uзатв(ном): 4.5...10 В:
NTMFS4835NT1G MOSFET транзистор -SO8-FL: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 104 А: Rси(вкл): 3.5...5 мОм: при Uзатв(ном): 4.5...10 В:
В наличии
55 

IRFI634G MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 250 В: Iс(25°C): 22 А: Rси(вкл): 0.45 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFI634G MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 250 В: Iс(25°C): 22 А: Rси(вкл): 0.45 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
В наличии
60 

FQPF5N60C MOSFET транзистор - TO-220-3FP, Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 4.5 А, Rси(вкл): 2.5 Ом
FQPF5N60C MOSFET транзистор - TO-220-3FP, Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 4.5 А, Rси(вкл): 2.5 Ом
В наличии
56.25 

Показано 1 - 29 товаров из 100+