Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор h15me1 в Украине

Транзистор IGBT IHW15N120R3FKSA1 (H15R1203)
Транзистор IGBT IHW15N120R3FKSA1 (H15R1203)
Готово к отправке
от 122 /мес
243 

Транзистор IGBT IGW15N120H3FKSA1
Транзистор IGBT IGW15N120H3FKSA1
Готово к отправке
от 398 /мес
796 

Транзистор IGBT IKW15N120H3FKSA1
Транзистор IGBT IKW15N120H3FKSA1
Готово к отправке
от 340 /мес
681 

Транзистор IGBT IHW15N120R3FKSA1 (H15R1203)
Транзистор IGBT IHW15N120R3FKSA1 (H15R1203)
Готово к отправке
5.0 
от 122 /мес
243 

NCE60H15A NCEPOWER TO-220 150A 60V 220W 3.1mOhm транзистор полевой N-канальный для инверторов
NCE60H15A NCEPOWER TO-220 150A 60V 220W 3.1mOhm транзистор полевой N-канальный для инверторов
Готово к отправке
5.0 
от 27.80 

Транзистор H15ME1 Оригинал!!! 30A/15A 1200V IGBT IHW15N120E1 Infineon Technologies
Транзистор H15ME1 Оригинал!!! 30A/15A 1200V IGBT IHW15N120E1 Infineon Technologies
Готово к отправке
5.0 
109.25 
115 

Транзистор H15ME1 ( IHW15N120E1 ) , TO247
Транзистор H15ME1 ( IHW15N120E1 ) , TO247
Готово к отправке
197.40 

Транзистор H15ME1 Оригинал!!! 30A/15A 1200V IGBT IHW15N120E1 Infineon Technologies
Транзистор H15ME1 Оригинал!!! 30A/15A 1200V IGBT IHW15N120E1 Infineon Technologies
Готово к отправке
5.0 
109.25 
115 

IHW15N120E1 H15ME1 TO-247 30А, 1.5В, 156Вт, 1.2кВ - транзистор IGBT
IHW15N120E1 H15ME1 TO-247 30А, 1.5В, 156Вт, 1.2кВ - транзистор IGBT
В наличии
90 

Транзистор 650V 15A TO220F 1J35AS 15N65 FDPF (1H36AA/16N60)
Транзистор 650V 15A TO220F 1J35AS 15N65 FDPF (1H36AA/16N60)
В наличии
409 
589 

95%
BF721T1G Биполярный транзистор - SOT-89, Тип: PNP, UКЭ(макс): 300 В, IК(макс): 50 мА, Pрасс: 1.5 Вт, Fгран: 60 МГц, h21: 50
BF721T1G Биполярный транзистор - SOT-89, Тип: PNP, UКЭ(макс): 300 В, IК(макс): 50 мА, Pрасс: 1.5 Вт, Fгран: 60 МГц, h21: 50
В наличии
33.75 

DTA143EM3T5G Биполярный транзистор - [SOT723]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 15: R1: 4.7 кОм: R2: 4.7 кОм
DTA143EM3T5G Биполярный транзистор - [SOT723]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 15: R1: 4.7 кОм: R2: 4.7 кОм
В наличии
6.25 

MMUN2232LT1G Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 15: R1: 4.7 кОм: R2: 4.7 кОм
MMUN2232LT1G Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 15: R1: 4.7 кОм: R2: 4.7 кОм
В наличии
3.75 

PZT2222AT1G Биполярный транзистор - [SOT-223]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 40 В: IК(макс): 600 мА: Pрасс: 1.5 Вт: Fгран: 300 МГц: h21:
PZT2222AT1G Биполярный транзистор - [SOT-223]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 40 В: IК(макс): 600 мА: Pрасс: 1.5 Вт: Fгран: 300 МГц: h21:
В наличии
18.75 

PZT2907AT1G Биполярный транзистор - SOT-223: Тип: PNP: UКЭ(макс): -60 В: IК(макс): -600 мА: Pрасс: 1.5 Вт: Fгран: 200 МГц: h21:
PZT2907AT1G Биполярный транзистор - SOT-223: Тип: PNP: UКЭ(макс): -60 В: IК(макс): -600 мА: Pрасс: 1.5 Вт: Fгран: 200 МГц: h21:
В наличии
18.75 

ГТ346А германієвий транзистор PNP (0,1mА 15В) (h21э: 10-150) 3W Ni (ТО18)
ГТ346А германієвий транзистор PNP (0,1mА 15В) (h21э: 10-150) 3W Ni (ТО18)
В наличии
от 20 

Датчик износа колодок Двиг.1.5H-6.0 MERCEDES C (W206/S206),CLS (C257), E(W2013/S213); 2012- /Перед NTY HCZ-ME-008
Датчик износа колодок Двиг.1.5H-6.0 MERCEDES C (W206/S206),CLS (C257), E(W2013/S213); 2012- /Перед NTY HCZ-ME-008
В наличии
195 

КТ807А транзистор кремниевый NPN (1,5А 100В) 10W (h21Э =15 45)
КТ807А транзистор кремниевый NPN (1,5А 100В) 10W (h21Э =15 45)
В наличии
23.40 

КТ807Б транзистор NPN (1,5А 100В) 10W (h21Э =30 100)
КТ807Б транзистор NPN (1,5А 100В) 10W (h21Э =30 100)
В наличии
25.70 

ГТ346А германієвий транзистор PNP 200 МГц (0,1mА 15В) (h21э: 10-150) 3W Ni (ТО18)
ГТ346А германієвий транзистор PNP 200 МГц (0,1mА 15В) (h21э: 10-150) 3W Ni (ТО18)
В наличии
16.40 

2Т363А транзистор кремнієвий PNP 1.5 ГГц (50mА 15В) (h21э: 20-70) 150mW Au (ТО18)
2Т363А транзистор кремнієвий PNP 1.5 ГГц (50mА 15В) (h21э: 20-70) 150mW Au (ТО18)
В наличии
81.80 

КТ347А транзистор кремнієвий PNP (110мА 15В) (h21э =300 400) Au (ТО18) (КТ-1-7)
КТ347А транзистор кремнієвий PNP (110мА 15В) (h21э =300 400) Au (ТО18) (КТ-1-7)
В наличии
37.40 

PZTA42H6327XTSA1 Биполярный транзистор - SOT-223: Тип: NPN: UКЭ(макс): 300 В: IК(макс): 50 А: Pрасс: 1.5 Вт
PZTA42H6327XTSA1 Биполярный транзистор - SOT-223: Тип: NPN: UКЭ(макс): 300 В: IК(макс): 50 А: Pрасс: 1.5 Вт
В наличии
25 

КТ807А транзистор кремнієвий NPN (1,5А 100В) 10W (h21Е = 15 ... 45)
КТ807А транзистор кремнієвий NPN (1,5А 100В) 10W (h21Е = 15 ... 45)
В наличии
25.70 

КТ807Б транзистор NPN (1,5А 100В) 10W (h21Э =30 100)
КТ807Б транзистор NPN (1,5А 100В) 10W (h21Э =30 100)
Под заказ
25.70 

ГТ346А германієвий транзистор PNP 200 МГц (0,1mА 15В) (h21э: 10-150) 3W Ni (ТО18)
ГТ346А германієвий транзистор PNP 200 МГц (0,1mА 15В) (h21э: 10-150) 3W Ni (ТО18)
В наличии
17.80 

2Т363А транзистор кремнієвий PNP 1.5 ГГц (50mА 15В) (h21э: 20-70) 150mW Au (ТО18)
2Т363А транзистор кремнієвий PNP 1.5 ГГц (50mА 15В) (h21э: 20-70) 150mW Au (ТО18)
В наличии
81.80 

КТ826Б транзистор кремнієвий NPN (1А 700В) (h21е 5-300)15W
КТ826Б транзистор кремнієвий NPN (1А 700В) (h21е 5-300)15W
В наличии
44.40 

Рюкзак (ранец) 1 Вересня школьный каркасный 552053 Me-to-you H-15 36*24,5*13,5см
Рюкзак (ранец) 1 Вересня школьный каркасный 552053 Me-to-you H-15 36*24,5*13,5см
Готово к отправке
от 476 /мес
951.50 

Показано 1 - 29 товаров из 100+