Prom – найбільший маркетплейс України

Ток насыщения в Украине

CDRH127/LDNP-180MC Катушка индуктивности 18+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 5.1 A, SMDRI127-180M
CDRH127/LDNP-180MC Катушка индуктивности 18+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 5.1 A, SMDRI127-180M
В наличии
27.50 

CDRH3D16NP-220NC Катушка индуктивности 22+/-30% мкГн. В корпусе SMD размер 4,0х4,0x1,8, Ток насыщения 0.4 A
CDRH3D16NP-220NC Катушка индуктивности 22+/-30% мкГн. В корпусе SMD размер 4,0х4,0x1,8, Ток насыщения 0.4 A
В наличии
62.50 

CDRH127/LDNP-820MC Катушка индуктивности 82+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 2.4 A
CDRH127/LDNP-820MC Катушка индуктивности 82+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 2.4 A
В наличии
88.75 

CDRH127NP-101MC Катушка индуктивности 100+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 1.7 A
CDRH127NP-101MC Катушка индуктивности 100+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 1.7 A
В наличии
67.50 

CDRH127/LDNP-121MC Катушка индуктивности 120+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 1.9 A, SMDRI127-121M
CDRH127/LDNP-121MC Катушка индуктивности 120+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 1.9 A, SMDRI127-121M
В наличии
27.50 

CDRH104RNP-151NC Дроссель - Ток: 850 мА: Индуктивность: 150 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 1.15 А: Перегрев: 850 мА: Корпус: SMD
CDRH104RNP-151NC Дроссель - Ток: 850 мА: Индуктивность: 150 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 1.15 А: Перегрев: 850 мА: Корпус: SMD
В наличии
82.50 

MBQ40T120QESTH IGBT транзистор, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2,1В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 1мА
MBQ40T120QESTH IGBT транзистор, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2,1В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 1мА
В наличии
от 36 /мес
363.75 

MBQ75T65PEHTH IGBT транзистор, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,7В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 20 мкА
MBQ75T65PEHTH IGBT транзистор, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,7В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 20 мкА
В наличии
от 43 /мес
428.75 

MBQ40T65QESTH Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,8В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 40
MBQ40T65QESTH Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,8В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 40
В наличии
156.25 

CDRH127/LDNP-180MC Катушка индуктивности 18+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 5.1 A, SMDRI127-180M
CDRH127/LDNP-180MC Катушка индуктивности 18+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 5.1 A, SMDRI127-180M
В наличии
27.50 

CDRH8D28NP-4R7NC Дроссель - Ток: 3.4 А: Индуктивность: 4.7 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 3.4 А: Перегрев: 4.5 А. Магнитное
CDRH8D28NP-4R7NC Дроссель - Ток: 3.4 А: Индуктивность: 4.7 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 3.4 А: Перегрев: 4.5 А. Магнитное
В наличии
65 

RCH895NP-121K Дроссель - Ток: 670 мА: Индуктивность: 120 мкГн: Допуск: ±10%: Насыщение: 820 мА: Перегрев: 670 мА: Корпус: Radial
RCH895NP-121K Дроссель - Ток: 670 мА: Индуктивность: 120 мкГн: Допуск: ±10%: Насыщение: 820 мА: Перегрев: 670 мА: Корпус: Radial
В наличии
41.25 

CDRH5D28RHPNP-470MC Дроссель - Ток: 850 мА: Индуктивность: 47 мкГн: Допуск: ±20%: Насыщение: 1.2 А: Перегрев: 850 мА: Корпус: SMD
CDRH5D28RHPNP-470MC Дроссель - Ток: 850 мА: Индуктивность: 47 мкГн: Допуск: ±20%: Насыщение: 1.2 А: Перегрев: 850 мА: Корпус: SMD
В наличии
75 

CDRH3D16NP-220NC Катушка индуктивности 22+/-30% мкГн. В корпусе SMD размер 4,0х4,0x1,8, Ток насыщения 0.4 A
CDRH3D16NP-220NC Катушка индуктивности 22+/-30% мкГн. В корпусе SMD размер 4,0х4,0x1,8, Ток насыщения 0.4 A
В наличии
62.50 

CDRH104RNP-151NC Дроссель - Ток: 850 мА: Индуктивность: 150 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 1.15 А: Перегрев: 850 мА: Корпус: SMD
CDRH104RNP-151NC Дроссель - Ток: 850 мА: Индуктивность: 150 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 1.15 А: Перегрев: 850 мА: Корпус: SMD
В наличии
80 

CDRH104RNP-680NC Дроссель - Ток: 1.42 А: Индуктивность: 68 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 1.5 А: Перегрев: 1.42 А: Корпус: SMD
CDRH104RNP-680NC Дроссель - Ток: 1.42 А: Индуктивность: 68 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 1.5 А: Перегрев: 1.42 А: Корпус: SMD
В наличии
80 

CDRH127/LDNP-820MC Катушка индуктивности 82+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 2.4 A
CDRH127/LDNP-820MC Катушка индуктивности 82+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 2.4 A
В наличии
91.25 

CDRH127NP-101MC Катушка индуктивности 100+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 1.7 A
CDRH127NP-101MC Катушка индуктивности 100+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 1.7 A
В наличии
70 

MBQ40T120QESTH IGBT транзистор, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2,1В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 1мА
MBQ40T120QESTH IGBT транзистор, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2,1В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 1мА
В наличии
от 35 /мес
352.50 

MBQ75T65PEHTH IGBT транзистор, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,7В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 20 мкА
MBQ75T65PEHTH IGBT транзистор, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,7В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 20 мкА
В наличии
от 42 /мес
415 

CDRH127/LDNP-121MC Катушка индуктивности 120+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 1.9 A, SMDRI127-121M
CDRH127/LDNP-121MC Катушка индуктивности 120+/-20% мкГн. В корпусе SMD размер 12,3х12,3x8,0, Ток насыщения 1.9 A, SMDRI127-121M
В наличии
27.50 

CDRH8D28NP-4R7NC Дроссель - Ток: 3.4 А: Индуктивность: 4.7 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 3.4 А: Перегрев: 4.5 А. Магнитное
CDRH8D28NP-4R7NC Дроссель - Ток: 3.4 А: Индуктивность: 4.7 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 3.4 А: Перегрев: 4.5 А. Магнитное
В наличии
65 

RCH895NP-121K Дроссель - Ток: 670 мА: Индуктивность: 120 мкГн: Допуск: ±10%: Насыщение: 820 мА: Перегрев: 670 мА: Корпус: Radial
RCH895NP-121K Дроссель - Ток: 670 мА: Индуктивность: 120 мкГн: Допуск: ±10%: Насыщение: 820 мА: Перегрев: 670 мА: Корпус: Radial
В наличии
41.25 

CDRH105RNP-560NC Дроссель - Ток: 1.9 А, Индуктивность: 56 мкГн, Допуск: ±30%, Насыщение: 1.9 А, Перегрев: 1.9 А, Корпус: SMD
CDRH105RNP-560NC Дроссель - Ток: 1.9 А, Индуктивность: 56 мкГн, Допуск: ±30%, Насыщение: 1.9 А, Перегрев: 1.9 А, Корпус: SMD
В наличии
97.50 

CDRH5D28RHPNP-470MC Дроссель - Ток: 850 мА: Индуктивность: 47 мкГн: Допуск: ±20%: Насыщение: 1.2 А: Перегрев: 850 мА: Корпус: SMD
CDRH5D28RHPNP-470MC Дроссель - Ток: 850 мА: Индуктивность: 47 мкГн: Допуск: ±20%: Насыщение: 1.2 А: Перегрев: 850 мА: Корпус: SMD
В наличии
77.50 

Комплект для изучения тока в вакууме
Комплект для изучения тока в вакууме
В наличии
8 000 

MBQ40T65QESTH Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,8В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 40
MBQ40T65QESTH Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,8В, Ток коллектора при нулевом напряжении затвора: 40
В наличии
151.25 

Комплект для изучения тока в вакууме
Комплект для изучения тока в вакууме
В наличии
8 000 

CDRH104RNP-100NC Дроссель - Ток: 3.8 А: Индуктивность: 10 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 4.4 А: Перегрев: 3.8 А
CDRH104RNP-100NC Дроссель - Ток: 3.8 А: Индуктивность: 10 мкГн: Допуск: ±30%: Насыщение: 4.4 А: Перегрев: 3.8 А
В наличии
81.25 

Показано 1 - 29 товаров из 40+