Prom – найбільший маркетплейс України

Плата с EEPROM 1 Кбит в Украине

M93C46-WDW6TP EEPROM память с Microwire интерфейсом объёмом 1 кбит в корпусе TSSOP-8
M93C46-WDW6TP EEPROM память с Microwire интерфейсом объёмом 1 кбит в корпусе TSSOP-8
В наличии
17.50 

M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
В наличии
41.25 

CAT25256VI-GT3 EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
CAT25256VI-GT3 EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
В наличии
58.75 

AT24CS08-SSHM-T EEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 8 кбит, в корпусе SO8150 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
AT24CS08-SSHM-T EEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 8 кбит, в корпусе SO8150 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
В наличии
66.25 

AT25256B-SSHL-T EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
AT25256B-SSHL-T EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
В наличии
88.75 

AT25040B-SSHL-B EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 4 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
AT25040B-SSHL-B EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 4 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
В наличии
193.75 

M95010-WMN6P EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания:
M95010-WMN6P EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания:
В наличии
51.25 

AT24C01C-SSHM-T EEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO8150 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
AT24C01C-SSHM-T EEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO8150 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
В наличии
57.50 

25AA02E48T-I/OT EEPROM память с SPI интерфейсом , объёмом 2 кбит , в корпусе SOT-23-6 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
25AA02E48T-I/OT EEPROM память с SPI интерфейсом , объёмом 2 кбит , в корпусе SOT-23-6 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
В наличии
141.25 

24LC01BT-I/OT EEPROM память с I2C интерфейсом объёмом 1 кбит. Uпит. 2,5...5,5 В. SOT-23-5
24LC01BT-I/OT EEPROM память с I2C интерфейсом объёмом 1 кбит. Uпит. 2,5...5,5 В. SOT-23-5
В наличии
37.50 

M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
В наличии
41.25 

24C16SI SMD14 EEPROM с интерфейсом I²C: до 400 кГц (1.8 В), до 1 МГц (2.5 5 В). 16 Кбит (2048 × 8). ~1 3 мA при 5 В,
24C16SI SMD14 EEPROM с интерфейсом I²C: до 400 кГц (1.8 В), до 1 МГц (2.5 5 В). 16 Кбит (2048 × 8). ~1 3 мA при 5 В,
В наличии
43.75 

AT24CS01-SSHM-B EEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO8150 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
AT24CS01-SSHM-B EEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO8150 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
В наличии
50 

M95128-DFDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 128 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
M95128-DFDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 128 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
В наличии
182.50 

X-NUCLEO-EEPRMA1 - развивающая плата с памятью EEPROM 504893
X-NUCLEO-EEPRMA1 - развивающая плата с памятью EEPROM 504893
Недоступен
2 080 

X-NUCLEO-EEPRMA1 - развивающая плата с памятью EEPROM 610665
X-NUCLEO-EEPRMA1 - развивающая плата с памятью EEPROM 610665
Недоступен
2 150