Prom – найбільший маркетплейс України

Igbt радиодетали в Украине

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом
В наличии
150 

100%
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом
Готово к отправке
97 

Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусе TO263-2 для плазменных панелей 300 В 200 А напряжение насыщения 1,9 В мощность 140 Вт
Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусе TO263-2 для плазменных панелей 300 В 200 А напряжение насыщения 1,9 В мощность 140 Вт
Готово к отправке
38 

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом 4133932 dobra sprava
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом 4133932 dobra sprava
Готово к отправке
32.50 
40.63 

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом EVT
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом EVT
В наличии
38 
47.50 

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом 386-0832 м.алмаз 3860832 almaz
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом 386-0832 м.алмаз 3860832 almaz
Готово к отправке
32.50 
40.63 

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом 3958393 м.жабка
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом 3958393 м.жабка
Готово к отправке
32.50 
40.63 

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом
Недоступен
55 

IGBT транзистор FGA25N12O (25N12O), TO-3P, 12OOВ 25А с встроенным диодом 4198925 tovari prosto
IGBT транзистор FGA25N12O (25N12O), TO-3P, 12OOВ 25А с встроенным диодом 4198925 tovari prosto
Недоступен
32.50 
40.63