Діод низькочастотний Д Д-діод низькочастотний призначений для застосування в ланцюгах постійного струму різних силових електротехнічних установок частотою до 500 Гц, а також у різних перетворювачах енергії. Конструкція діодів: ― штирова, у металокерамічному корпусі з гнучким виведенням і притискними контактами; ― у пластмасовому корпусі з безпотенціальною основою фланцевого виконання; — таблеткова конструкція. Технічні характеристики Д діодів:Повторювана імпульсна зворотна напруга — від 100 В до 28 000 В. Середній прямий струм за температури від +85 °C до +140 °C — від 10 А до 5000 А. Максимально допустимий активний прямий струм — від 16 А до 7850 А. Ударний прямий струм компонента Д — від 0,125 кА до 60 кА. Імпульсна пряма напруга під час струму від 1,57 А до 15700 А — від 1,25 В до 2,2 В. Тепловий опір перехід-корпус — від 0,01 °C/Вт до 2,7 °C/Вт. Умови експлуатації: Кліматичне вироблення — У2; Т2; УХЛ2. Д діоди призначені для експлуатації в вибухобезпечних і хімічно неактивних середовищах, в умовах, що виключають вплив різних випромінювань (нейтронний, електронний і гамма-випромінювання). Допускається вплив вібраційних навантажень.