Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т3120А

Код: 2968
Недоступен
120 ₴
2Т3120А - фото 1 - id-p848676904

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т3120А

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 90г.

Изготовитель: Светлана

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

2SK786
2SK786
515 ₴
IGW50N60H3 БТИЗ транзистор, 50 А, 2.3 В, 333 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
IGW50N60H3 БТИЗ транзистор, 50 А, 2.3 В, 333 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
661.25 ₴
FDP20N50 МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 500 В, 0.22 Ом, 10 В, 3 В
FDP20N50 МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 500 В, 0.22 Ом, 10 В, 3 В
703.75 ₴
FCH077N65F-F085 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 54А, Idm: 156А, 481Вт, TO247
FCH077N65F-F085 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 54А, Idm: 156А, 481Вт, TO247
1 137.50 ₴
Транзистор полевой MOSFET NCE6050KA
Транзистор полевой MOSFET NCE6050KA
49 ₴
FGH75T65SHDT-F155 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS3 Trench IGBT
FGH75T65SHDT-F155 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS3 Trench IGBT
2 035 ₴
SP47MF65TF N-канальный MOSFET, 650 В, 47 А, 391 Вт.
SP47MF65TF N-канальный MOSFET, 650 В, 47 А, 391 Вт.
747.50 ₴
FDA59N30 МОП-транзистор, N Канал, 59 А, 300 В, 0.047 Ом, 10 В, 5 В
FDA59N30 МОП-транзистор, N Канал, 59 А, 300 В, 0.047 Ом, 10 В, 5 В
428.75 ₴
STP45N60DM6 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 19А, Idm: 95А, 210Вт
STP45N60DM6 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 19А, Idm: 95А, 210Вт
1 110 ₴
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4
695 ₴
IRG4PC50UPBF 600V 55A 200W
IRG4PC50UPBF 600V 55A 200W
680 ₴
Транзистор B764
Транзистор B764
15 ₴
26 ₴
IPB123N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W
IPB123N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W
442.50 ₴
STD60NF06T4 MOSFET транзистор - TO-252-3: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 60 А: Rси(вкл): 14 мОм: Uзатв(ном): 10 В.
STD60NF06T4 MOSFET транзистор - TO-252-3: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 60 А: Rси(вкл): 14 мОм: Uзатв(ном): 10 В.
436.25 ₴