Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т831Б

Код: 2891
Недоступен
210 ₴
2Т831Б - фото 1 - id-p848571806

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т831Б

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 09.05г.

Изготовитель: Кремний

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4
695 ₴
NCE40TD120LT IGBT транзистор 1200В 40A TO-247
NCE40TD120LT IGBT транзистор 1200В 40A TO-247
462.50 ₴
Транзистор FIR120N055P, 55V, 120A, TO-220
Транзистор FIR120N055P, 55V, 120A, TO-220
169 ₴
249 ₴
2Т709В
2Т709В
150 ₴
Транзистор MOSFET IRF9510SPBF
Транзистор MOSFET IRF9510SPBF
267 ₴
2SK786
2SK786
515 ₴
GT50J342 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A
GT50J342 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A
401.25 ₴
IRF2805STRLPBF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 135 А, 0.0039 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
IRF2805STRLPBF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 135 А, 0.0039 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
432.50 ₴
FGA5065ADF Транзистор 50A 650V Pd - рассеивание мощности: 268 W
FGA5065ADF Транзистор 50A 650V Pd - рассеивание мощности: 268 W
622.50 ₴
Транзистор полевой MOSFET NCE65T360
Транзистор полевой MOSFET NCE65T360
194 ₴
SGH40N60UFDTU IGBT 600V 40A 160W
SGH40N60UFDTU IGBT 600V 40A 160W
595 ₴
SIHP24N65E-GE3 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 24 А, 0.12 Ом
SIHP24N65E-GE3 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 24 А, 0.12 Ом
675 ₴
MJ15022G Биполярный транзистор, аудио, NPN, 200 В, 4 МГц, 250 Вт, 16 А, 60 hFE
MJ15022G Биполярный транзистор, аудио, NPN, 200 В, 4 МГц, 250 Вт, 16 А, 60 hFE
1 456.25 ₴
IRFB20N50KPBF MOSFET силовой транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 80 А: Rси(вкл): 0.25 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFB20N50KPBF MOSFET силовой транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 80 А: Rси(вкл): 0.25 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
416.25 ₴