Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т830Б

Код: 2865
Недоступен
210 ₴
2Т830Б - фото 1 - id-p848541750

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т830Б

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 90-06гг.

Изготовитель: Кремний

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

IXFP7N100P Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1кВ, 7А, 300Вт, TO220AB
IXFP7N100P Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1кВ, 7А, 300Вт, TO220AB
1 531.25 ₴
Транзистор MMBT5551 (TO-236) /ONSEMI/Fairchild
Транзистор MMBT5551 (TO-236) /ONSEMI/Fairchild
2 ₴
Транзистор RJP3047 "корот.ног" (TO-220F) /Renesas Technology Corp
Транзистор RJP3047 "корот.ног" (TO-220F) /Renesas Technology Corp
100 ₴
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4
695 ₴
Транзистор NEC B744P
Транзистор NEC B744P
35 ₴
51 ₴
STW11NM80 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.4 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
STW11NM80 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.4 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
382.50 ₴
IRG4PH50UDPBF IGBT with Anti-Parallel Diode 1200V 45A 200W, ULTRAFAST 8-30 kHz
IRG4PH50UDPBF IGBT with Anti-Parallel Diode 1200V 45A 200W, ULTRAFAST 8-30 kHz
1 500 ₴
MJH6284G Биполярный транзистор - [SOT-93]: Тип: NPN Darl.: UКЭ(макс): 100 В: IК(макс): 20 А: Pрасс: 160 Вт
MJH6284G Биполярный транзистор - [SOT-93]: Тип: NPN Darl.: UКЭ(макс): 100 В: IК(макс): 20 А: Pрасс: 160 Вт
970 ₴
STF10N80K5 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 9 А, 0.47 Ом
STF10N80K5 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 9 А, 0.47 Ом
405 ₴
TK13A50DA(STA4,Q,M Транзистор 12.5A , 45W, 390 mOhms
TK13A50DA(STA4,Q,M Транзистор 12.5A , 45W, 390 mOhms
658.75 ₴
IRGB20B60PD1PBF IGBT: 600 В, 20 А
IRGB20B60PD1PBF IGBT: 600 В, 20 А
752.50 ₴
IRFB4410, Транзистор, TO-220
IRFB4410, Транзистор, TO-220
27.23 ₴
AOK40B120H1 Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 40А, 250Вт, TO247,
AOK40B120H1 Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 40А, 250Вт, TO247,
602.50 ₴
IRFS3107-7PPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-7]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 260 А: Rси(вкл): 2.6 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFS3107-7PPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-7]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 260 А: Rси(вкл): 2.6 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
618.75 ₴