Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т827В ОС

Код: 2855
Недоступен
300 ₴
2Т827В ОС - фото 1 - id-p848523728

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т827В ОС

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: 

Год изготовления: 09г.

Изготовитель: Экситон

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

Транзистор J13009 400V 12A (аналог MJE13009), корпус TO220
Транзистор J13009 400V 12A (аналог MJE13009), корпус TO220
197 ₴
MSG60T65HFC0 IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C
MSG60T65HFC0 IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C
450 ₴
Транзистор JCS3205, 55V, 110A, TO-220
Транзистор JCS3205, 55V, 110A, TO-220
169 ₴
249 ₴
STF16N65M5 Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 12 А: Rси(вкл): 0.299 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 45 нКл
STF16N65M5 Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 12 А: Rси(вкл): 0.299 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 45 нКл
366.25 ₴
Транзистор кт851а
Транзистор кт851а
50 ₴
FDA59N25 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 250 В, 59 А, 0.049 Ом
FDA59N25 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 250 В, 59 А, 0.049 Ом
657.50 ₴
STW18N60DM2 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 7,6А, 90Вт, TO247
STW18N60DM2 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 7,6А, 90Вт, TO247
378.75 ₴
IGW40T120 Транзистор: IGBT, 1200В, 40А, 483Вт,
IGW40T120 Транзистор: IGBT, 1200В, 40А, 483Вт,
1 153.75 ₴
IKW30N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 60 А, 1.35 В, 188 Вт, 650 В, TO-247
IKW30N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 60 А, 1.35 В, 188 Вт, 650 В, TO-247
670 ₴
Тр. пол. IRFP250N (n-ch) 200V 30A TO-3PN (Original)
Тр. пол. IRFP250N (n-ch) 200V 30A TO-3PN (Original)
60 ₴
IPD350N06LGBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 71Вт
IPD350N06LGBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 71Вт
382.50 ₴
IGW75N60H3FKSA1 IGBT Trench Feldstopp 600 V 140 A 428 W
IGW75N60H3FKSA1 IGBT Trench Feldstopp 600 V 140 A 428 W
1 630 ₴
IRF2804STRL7PP MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 280 А, 2.3 мОм
IRF2804STRL7PP MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 280 А, 2.3 мОм
582.50 ₴
AOTF15B60D Транзистор: IGBT, 600В, 15А, 25Вт, TO220F, Eвыкл: 0,11мДж
AOTF15B60D Транзистор: IGBT, 600В, 15А, 25Вт, TO220F, Eвыкл: 0,11мДж
383.75 ₴