Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

КТ819В

Код: 2820
Недоступен
60 ₴
КТ819В - фото 1 - id-p848485689

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор КТ819В

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: 

Год изготовления: 09.10г.

Изготовитель: Кремний

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

IKW75N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 333 Вт, 650 В
IKW75N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 333 Вт, 650 В
833.75 ₴
IKW40N120H3FKSA1 IGBT транзистор, 40 А, 2.4 В, 483 Вт, 1.2 кВ K40H1203
IKW40N120H3FKSA1 IGBT транзистор, 40 А, 2.4 В, 483 Вт, 1.2 кВ K40H1203
465 ₴
Транзистор B778
Транзистор B778
75 ₴
114 ₴
STP20N65M5 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 11,3А, 130Вт
STP20N65M5 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 11,3А, 130Вт
521.25 ₴
MOSFET N-канал 100В 110А 5.1мОм STM STP110N10F7 TO220
MOSFET N-канал 100В 110А 5.1мОм STM STP110N10F7 TO220
123.61 ₴
MJL21193G Биполярный транзистор - [TO-3PBL]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 250 В: IК(макс): 16 А: Pрасс: 200 Вт: Fгран: 4 МГц: h21: 25...75
MJL21193G Биполярный транзистор - [TO-3PBL]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 250 В: IК(макс): 16 А: Pрасс: 200 Вт: Fгран: 4 МГц: h21: 25...75
1 020 ₴
IRF9540STRLPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс(25°C): 72 А: Rси(вкл): 0.2 Ом: @Uзатв(ном): 4.5 В:
IRF9540STRLPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс(25°C): 72 А: Rси(вкл): 0.2 Ом: @Uзатв(ном): 4.5 В:
460 ₴
STW18N60DM2 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 7,6А, 90Вт, TO247
STW18N60DM2 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 7,6А, 90Вт, TO247
378.75 ₴
CRJQ41N65GCF Транзистор (MOSFET/силовой ключ): 650 В, 74 А, 687 Вт, выводной корпус TO-247-3L
CRJQ41N65GCF Транзистор (MOSFET/силовой ключ): 650 В, 74 А, 687 Вт, выводной корпус TO-247-3L
641.25 ₴
ALD110902PAL Тип: Сборки MOSFET: Uси, max, В: 10: Iс, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rси, Ом: 500: Тип: 2N
ALD110902PAL Тип: Сборки MOSFET: Uси, max, В: 10: Iс, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rси, Ом: 500: Тип: 2N
400 ₴
STP75NS04Z Транзистор: N-MOSFET, полевой, 33В, 63А, Idm: 320А, 110Вт, TO220
STP75NS04Z Транзистор: N-MOSFET, полевой, 33В, 63А, Idm: 320А, 110Вт, TO220
365 ₴
IRGB4630DPBF Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 47А
IRGB4630DPBF Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 47А
586.25 ₴
SGW30N60 Транзистор IGBT: N-channel, 41 A при 25°C 600 V, 3-Pin TO-247
SGW30N60 Транзистор IGBT: N-channel, 41 A при 25°C 600 V, 3-Pin TO-247
798.75 ₴