Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т818Б

Код: 2808
Недоступен
270 ₴
2Т818Б - фото 1 - id-p848462389

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т818Б

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание:

Год изготовления: 06.09г.

Изготовитель: Кремний

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

IRFP2907ZPBF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 75 В, 90 А, 0.0045 Ом, TO-247AC, Through Hole
IRFP2907ZPBF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 75 В, 90 А, 0.0045 Ом, TO-247AC, Through Hole
437.50 ₴
IPP060N06NAKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 45 А, 60 В, 0.0052 Ом, 10 В, 2.8 В
IPP060N06NAKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 45 А, 60 В, 0.0052 Ом, 10 В, 2.8 В
476.25 ₴
SIHG065N60E-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 25А, Idm: 116А, 250Вт, TO247AC
SIHG065N60E-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 25А, Idm: 116А, 250Вт, TO247AC
545 ₴
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4
695 ₴
Транзистор E13009 (аналог MJE13009), 400V, 12A, TO-220
Транзистор E13009 (аналог MJE13009), 400V, 12A, TO-220
169 ₴
249 ₴
2SD2578 Транзистор биполярный, NPN, 600 Вт, Ucb: 1500 В, Uce: 80 В, 8 А, 75 МГц
2SD2578 Транзистор биполярный, NPN, 600 Вт, Ucb: 1500 В, Uce: 80 В, 8 А, 75 МГц
436.25 ₴
STGP10NC60S Trans IGBT Chip N-CH 600V 21A 62.5W
STGP10NC60S Trans IGBT Chip N-CH 600V 21A 62.5W
806.25 ₴
IXFP10N60P Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 10А, 200Вт, TO220AB, 120нс
IXFP10N60P Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 10А, 200Вт, TO220AB, 120нс
440 ₴
IRF1404LPBF Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 162А, 200Вт
IRF1404LPBF Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 162А, 200Вт
428.75 ₴
STW20NM50FD MOSFET силовой транзистор - TO-247-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 20 А: Rси(вкл): 0.25 Ом
STW20NM50FD MOSFET силовой транзистор - TO-247-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 20 А: Rси(вкл): 0.25 Ом
1 291.25 ₴
IXFH22N50P Транзистор: N-MOSFET: 500В: 22А: 350Вт
IXFH22N50P Транзистор: N-MOSFET: 500В: 22А: 350Вт
866.25 ₴
STW28NM50N Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 21 А, 0.135 Ом, TO-247, Through Hole
STW28NM50N Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 21 А, 0.135 Ом, TO-247, Through Hole
567.50 ₴
MJ15022G Биполярный транзистор, аудио, NPN, 200 В, 4 МГц, 250 Вт, 16 А, 60 hFE
MJ15022G Биполярный транзистор, аудио, NPN, 200 В, 4 МГц, 250 Вт, 16 А, 60 hFE
1 456.25 ₴
Транзистор B941
Транзистор B941
30 ₴
40 ₴