Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т630Б

Код: 2775
Недоступен
240 ₴
2Т630Б - фото 1 - id-p848430872

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т630Б

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 88-09гг.

Изготовитель: Кремний

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

STGF3NC120HD IGBT, N 1200V 3A TO-220FP
STGF3NC120HD IGBT, N 1200V 3A TO-220FP
670 ₴
Тр. бип. 2N3055 (npn) 100V 15A TO-3
Тр. бип. 2N3055 (npn) 100V 15A TO-3
35 ₴
FGA5065ADF Транзистор 50A 650V Pd - рассеивание мощности: 268 W
FGA5065ADF Транзистор 50A 650V Pd - рассеивание мощности: 268 W
622.50 ₴
AOTF15B60D Транзистор: IGBT, 600В, 15А, 25Вт, TO220F, Eвыкл: 0,11мДж
AOTF15B60D Транзистор: IGBT, 600В, 15А, 25Вт, TO220F, Eвыкл: 0,11мДж
383.75 ₴
HGTG10N120BND Транзистор IGBT 1200В 17А
HGTG10N120BND Транзистор IGBT 1200В 17А
470 ₴
2SK386
2SK386
470 ₴
DG20X06T2 Транзистор: IGBT, 600В, 29А, 166Вт, TO247
DG20X06T2 Транзистор: IGBT, 600В, 29А, 166Вт, TO247
368.75 ₴
FDA28N50 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 28 А, 0.122 Ом
FDA28N50 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 28 А, 0.122 Ом
561.25 ₴
STW36NM60ND Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II, полевой, 600В, 18А, 190Вт
STW36NM60ND Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II, полевой, 600В, 18А, 190Вт
861.25 ₴
SGW30N60HS IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole
SGW30N60HS IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole
522.50 ₴
IXYH50N120C3D1 IGBT 1200V 90A 625W
IXYH50N120C3D1 IGBT 1200V 90A 625W
1 827.50 ₴
Транзистор NEC B794
Транзистор NEC B794
40 ₴
50 ₴
IRLB3034PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 343 А: Rси(вкл): 1.7...2 мОм: @Uзатв(ном):
IRLB3034PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 343 А: Rси(вкл): 1.7...2 мОм: @Uзатв(ном):
402.50 ₴
IRGP35B60PDPBF IGBT: 600 В, 35 А
IRGP35B60PDPBF IGBT: 600 В, 35 А
1 125 ₴