Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т630А ОС

Код: 2765
Недоступен
260 ₴
2Т630А ОС - фото 1 - id-p848423662

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т630А ОС

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 85-06гг.

Изготовитель: Кремний

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

STGWT60H65FB Транзистор: IGBT, 650В, 60А, 375Вт, TO3P
STGWT60H65FB Транзистор: IGBT, 650В, 60А, 375Вт, TO3P
666.25 ₴
Транзистор TT2140LS (TO-220F1) /Sanyo
Транзистор TT2140LS (TO-220F1) /Sanyo
33 ₴
IKW30N60DTPXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт
IKW30N60DTPXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт
495 ₴
IXFH30N50P Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 500 В, 30 А, 0.2 Ом, TO-247
IXFH30N50P Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 500 В, 30 А, 0.2 Ом, TO-247
907.50 ₴
BUX48A Биполярный транзистор - TO-3, Тип: NPN, UКЭ(макс): 450 В, IК(макс): 15 А, Pрасс: 55 Вт
BUX48A Биполярный транзистор - TO-3, Тип: NPN, UКЭ(макс): 450 В, IК(макс): 15 А, Pрасс: 55 Вт
1 430 ₴
STGW40NC60KD Igbt-транзистор на 600V, 40A с усиленной защитой от короткого замыкания
STGW40NC60KD Igbt-транзистор на 600V, 40A с усиленной защитой от короткого замыкания
860 ₴
Транзистор полевой MOSFET IRLS3036TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET IRLS3036TRLPBF
470 ₴
NCE40TD120BT IGBT + Diode, 468W, 1200V, 80A, TO247
NCE40TD120BT IGBT + Diode, 468W, 1200V, 80A, TO247
387.50 ₴
STD15N50M2AG Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 10 А, 0.336 Ом
STD15N50M2AG Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 10 А, 0.336 Ом
775 ₴
DG50X12T2 Транзистор: IGBT, 1200В, 50А, 592Вт, TO247PLUS
DG50X12T2 Транзистор: IGBT, 1200В, 50А, 592Вт, TO247PLUS
1 403.75 ₴
NJL0302DG Si,THT,PNP: 180 W, 30 MHz,260V, 5 @ 500mA, 5V
NJL0302DG Si,THT,PNP: 180 W, 30 MHz,260V, 5 @ 500mA, 5V
700 ₴
Транзистор полевой MOSFET SIS476DN-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET SIS476DN-T1-GE3
140 ₴
BDV64BG Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 100В: 10А: 125Вт
BDV64BG Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 100В: 10А: 125Вт
575 ₴
FGH40N60UFTU IGBT транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В
FGH40N60UFTU IGBT транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В
412.50 ₴