Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т630А

Код: 2762
Недоступен
260 ₴
2Т630А - фото 1 - id-p848419241

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т630А

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 03-11гг.

Изготовитель: Кремний

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

Транзистор 60V 160А ТО-220 CS160N06
Транзистор 60V 160А ТО-220 CS160N06
179 ₴
259 ₴
NCE40TD120VTP IGBT транзистор 1200В 40A TO-247P
NCE40TD120VTP IGBT транзистор 1200В 40A TO-247P
525 ₴
IRFP2907ZPBF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 75 В, 90 А, 0.0045 Ом, TO-247AC, Through Hole
IRFP2907ZPBF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 75 В, 90 А, 0.0045 Ом, TO-247AC, Through Hole
437.50 ₴
STW45N60DM6 Транзистор: N-MOSFET, DM6, полевой, 600В, 19А, Idm: 95А
STW45N60DM6 Транзистор: N-MOSFET, DM6, полевой, 600В, 19А, Idm: 95А
1 532.50 ₴
IRGB4610DPBF IGBT транзистор - TO-220-3: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 20 А: Iк@100°C: 10 А: Uкэ.нас: 1.6 В
IRGB4610DPBF IGBT транзистор - TO-220-3: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 20 А: Iк@100°C: 10 А: Uкэ.нас: 1.6 В
475 ₴
STP11NM60FD Транзистор: N-MOSFET: FDmesh™: полевой: 600В: 7А: 160Вт
STP11NM60FD Транзистор: N-MOSFET: FDmesh™: полевой: 600В: 7А: 160Вт
487.50 ₴
DG15X12T2 Транзистор: IGBT, 1200В, 15А, 138Вт, TO247
DG15X12T2 Транзистор: IGBT, 1200В, 15А, 138Вт, TO247
525 ₴
FDP20N50F Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 20 А, 0.22 Ом, TO-220
FDP20N50F Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 20 А, 0.22 Ом, TO-220
466.25 ₴
IHW25N120E1XKSA1 IGBT транзистор, 50 А, 1.5 В, 231 Вт, 1.2 кВ
IHW25N120E1XKSA1 IGBT транзистор, 50 А, 1.5 В, 231 Вт, 1.2 кВ
881.25 ₴
AOK50B65M2 Транзистор: IGBT, 650В, 50А, 250Вт, TO247, Eвыкл: 1,03мДж
AOK50B65M2 Транзистор: IGBT, 650В, 50А, 250Вт, TO247, Eвыкл: 1,03мДж
1 226.25 ₴
STF40N60M2 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 34 А, 0.078 Ом
STF40N60M2 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 34 А, 0.078 Ом
788.75 ₴
ON Semiconductor FQP8N80C Н/Д Н/Д FQP8N80C
ON Semiconductor FQP8N80C Н/Д Н/Д FQP8N80C
644 ₴
SP8K80TB1 Транзистор: N-MOSFET, однополярный, 500В, 500 мА
SP8K80TB1 Транзистор: N-MOSFET, однополярный, 500В, 500 мА
368.75 ₴
STP8NK100Z MOSFET силовой транзистор - TO-220-3 , Тип : N , Uси : 1 кВ , Iс (25°C) : 6.6 А , Rси(вкл) : 1.85 Ом , 73 нКл , 10 В
STP8NK100Z MOSFET силовой транзистор - TO-220-3 , Тип : N , Uси : 1 кВ , Iс (25°C) : 6.6 А , Rси(вкл) : 1.85 Ом , 73 нКл , 10 В
1 520 ₴