Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т603А ОС

Код: 2735
Недоступен
170 ₴
2Т603А ОС - фото 1 - id-p848404323

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т603А ОС

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 10-12гг.

Изготовитель: Планета

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

IXXH30N60B3D1 Транзистор БТИЗ, 600В, 30А, 270Вт
IXXH30N60B3D1 Транзистор БТИЗ, 600В, 30А, 270Вт
600 ₴
IRGB15B60KDPBF IGBT: 600 В, 31 А
IRGB15B60KDPBF IGBT: 600 В, 31 А
411.25 ₴
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А со встроенным диодом
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А со встроенным диодом
159 ₴
229 ₴
IGBT-модуль Fuji Electric 7MBP50TEA060-0
IGBT-модуль Fuji Electric 7MBP50TEA060-0
от 6 000 ₴
STP8NK100Z MOSFET силовой транзистор - TO-220-3 , Тип : N , Uси : 1 кВ , Iс (25°C) : 6.6 А , Rси(вкл) : 1.85 Ом , 73 нКл , 10 В
STP8NK100Z MOSFET силовой транзистор - TO-220-3 , Тип : N , Uси : 1 кВ , Iс (25°C) : 6.6 А , Rси(вкл) : 1.85 Ом , 73 нКл , 10 В
1 520 ₴
STP140N8F7 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 90 А, 0.0035 Ом
STP140N8F7 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 90 А, 0.0035 Ом
485 ₴
IKP20N60TXKSA1 Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 166Вт, TO220-3
IKP20N60TXKSA1 Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 166Вт, TO220-3
380 ₴
Транзистор BU508DF, PHM0912A1, 700V, 8A, TO-3PF
Транзистор BU508DF, PHM0912A1, 700V, 8A, TO-3PF
169 ₴
249 ₴
Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM
Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM
97 ₴
108 ₴
IRLS3034TRLPBF Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 343А, 375Вт, D2PAK
IRLS3034TRLPBF Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 343А, 375Вт, D2PAK
476.25 ₴
2SC2539
2SC2539
988.75 ₴
Транзистор JT075N065WED (N-CHANNEL IGBT 75A 650V TO-247)
Транзистор JT075N065WED (N-CHANNEL IGBT 75A 650V TO-247)
419 ₴
599 ₴
IKW75N65EH5XKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 90 А, 1.65 В, 395 Вт, 650 В
IKW75N65EH5XKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 90 А, 1.65 В, 395 Вт, 650 В
1 596.25 ₴
SP020N09GHTF 200V 90A 9mΩ@10V,20A 400W 2V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
SP020N09GHTF 200V 90A 9mΩ@10V,20A 400W 2V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
515 ₴