Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т368А ОСМ

Код: 2702
Недоступен
220 ₴
2Т368А ОСМ - фото 1 - id-p848371111

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т368А ОСМ

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 12.09г.

Изготовитель: Светлана

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

Транзистор HYG013N03LS1C2 || 30V*150A*65W N-Channel
Транзистор HYG013N03LS1C2 || 30V*150A*65W N-Channel
127 ₴
IRFP27N60KPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 27 А, 500 Вт
IRFP27N60KPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 27 А, 500 Вт
396.25 ₴
BPX38-4 Фототранзистор, TO18, 4,3мм, 50В, 40°, Линза: прозрачная, 0,675mм2
BPX38-4 Фототранзистор, TO18, 4,3мм, 50В, 40°, Линза: прозрачная, 0,675mм2
467.50 ₴
IKW50N65H5FKSA1 IGBT транзистор, 50 А, 1.65 В, 305 Вт, 650 В
IKW50N65H5FKSA1 IGBT транзистор, 50 А, 1.65 В, 305 Вт, 650 В
858.75 ₴
IPB120N06S4H1ATMA2 МОП-транзисторы (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2
IPB120N06S4H1ATMA2 МОП-транзисторы (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2
612.50 ₴
STW21N65M5 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.179 Ом
STW21N65M5 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.179 Ом
703.75 ₴
HGTG11N120CND IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43A
HGTG11N120CND IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43A
477.50 ₴
MSG60T65HFC0 IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C
MSG60T65HFC0 IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C
450 ₴
NJW3281G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 15 А, 200 Вт, TO-3P, Through Hole
NJW3281G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 15 А, 200 Вт, TO-3P, Through Hole
616.25 ₴
FDS4953 MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9], Тип: P, Uси: 30 В, Iс(25°C): 5 А, Rси(вкл): 55...95 мОм, @Uзатв(ном): 4.5...10 В, Qзатв:
FDS4953 MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9], Тип: P, Uси: 30 В, Iс(25°C): 5 А, Rси(вкл): 55...95 мОм, @Uзатв(ном): 4.5...10 В, Qзатв:
395 ₴
FDA24N50F Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А
FDA24N50F Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А
592.50 ₴
STP13N65M2 Транзистор: N-MOSFET, полевой, N-Channel 650 V 10A (Tc) 110W
STP13N65M2 Транзистор: N-MOSFET, полевой, N-Channel 650 V 10A (Tc) 110W
370 ₴
AOK40B60D1 Транзистор: IGBT: 600В: 40А: 111Вт: TO247: Eвыкл: 0,3мДж
AOK40B60D1 Транзистор: IGBT: 600В: 40А: 111Вт: TO247: Eвыкл: 0,3мДж
510 ₴
2SK786
2SK786
515 ₴