Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т326А

Код: 2699
Недоступен
160 ₴
2Т326А - фото 1 - id-p848368660

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т326А

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 92-02гг.

Изготовитель: Далекс

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

IGW40N65F5FKSA1 Транзистор: IGBT, 650В, 46А, 250Вт, TO247-3, F5
IGW40N65F5FKSA1 Транзистор: IGBT, 650В, 46А, 250Вт, TO247-3, F5
582.50 ₴
GT30J65MRB,S1E IGBT 650 V 60 A 200 W
GT30J65MRB,S1E IGBT 650 V 60 A 200 W
633.75 ₴
FDA24N40F Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 13,8А, Idm: 92А, 235Вт
FDA24N40F Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 13,8А, Idm: 92А, 235Вт
668.75 ₴
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А со встроенным диодом
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А со встроенным диодом
159 ₴
229 ₴
Транзистор FQA24N60, ​​600V, 24A, TO-3P
Транзистор FQA24N60, ​​600V, 24A, TO-3P
269 ₴
389 ₴
Транзистор FQB10N60C, 600V, 10A, TO-263
Транзистор FQB10N60C, 600V, 10A, TO-263
169 ₴
249 ₴
IHW20N120R2 IGBT, 1200 В, 20 А, 40 А, 480 Вт
IHW20N120R2 IGBT, 1200 В, 20 А, 40 А, 480 Вт
763.75 ₴
HD1750FX Транзистор биполярный, NPN, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.800 В. Максимальный постоянный ток коллектора 24 A
HD1750FX Транзистор биполярный, NPN, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.800 В. Максимальный постоянный ток коллектора 24 A
832.50 ₴
STW34N65M5 Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 17,7А, 190Вт
STW34N65M5 Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 17,7А, 190Вт
612.50 ₴
STF40N60M2 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 34 А, 0.078 Ом
STF40N60M2 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 34 А, 0.078 Ом
788.75 ₴
STP8NK80ZFP MOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2 A, Polarity:N. 1 Channel: 1.5ohm, Si
STP8NK80ZFP MOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2 A, Polarity:N. 1 Channel: 1.5ohm, Si
426.25 ₴
SGH80N60UFDTU IGBT транзистор, 80 А, 2.6 В, 195 Вт, 600 В
SGH80N60UFDTU IGBT транзистор, 80 А, 2.6 В, 195 Вт, 600 В
991.25 ₴
STGW20IH125DF БТИЗ транзистор, 40 А, 2 В, 259 Вт, 1.25 кВ
STGW20IH125DF БТИЗ транзистор, 40 А, 2 В, 259 Вт, 1.25 кВ
735 ₴
STW20NM50FD MOSFET силовой транзистор - TO-247-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 20 А: Rси(вкл): 0.25 Ом
STW20NM50FD MOSFET силовой транзистор - TO-247-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 20 А: Rси(вкл): 0.25 Ом
1 291.25 ₴