Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т208Л

Код: 2586
Недоступен
150 ₴
2Т208Л - фото 1 - id-p847849919

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т208Л

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 93г.

Изготовитель: Кремний

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

STP28N60DM2 Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 21 А, 0.13 Ом
STP28N60DM2 Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 21 А, 0.13 Ом
703.75 ₴
NJL0281DG Биполярные транзисторы - BJT NPN 150W THERMALTRAK PPD
NJL0281DG Биполярные транзисторы - BJT NPN 150W THERMALTRAK PPD
1 633.75 ₴
IXFH30N50P Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 500 В, 30 А, 0.2 Ом, TO-247
IXFH30N50P Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 500 В, 30 А, 0.2 Ом, TO-247
907.50 ₴
Биполярный транзистор C945 (100 шт), NPN, TO-92, высокочастотный усилитель
Биполярный транзистор C945 (100 шт), NPN, TO-92, высокочастотный усилитель
209 ₴
299 ₴
FGH20N60SFDTU Транзистор IGBT, 600В, 20А, 66Вт, TO247-3
FGH20N60SFDTU Транзистор IGBT, 600В, 20А, 66Вт, TO247-3
573.75 ₴
MJ15003 Биполярный транзистор, аудио, NPN, 140 В, 2 МГц, 250 Вт, 20 А, 150 hFE
MJ15003 Биполярный транзистор, аудио, NPN, 140 В, 2 МГц, 250 Вт, 20 А, 150 hFE
512.50 ₴
FGH75T65UPD-F085 IGBT Trench Field Stop 650 V 150 A 375 W
FGH75T65UPD-F085 IGBT Trench Field Stop 650 V 150 A 375 W
1 901.25 ₴
IRFP4310ZPBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 134 А, 6 мОм
IRFP4310ZPBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 134 А, 6 мОм
950 ₴
FQA24N50 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 23.5 А, 0.24 Ом
FQA24N50 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 23.5 А, 0.24 Ом
1 108.75 ₴
30F131 TO-263-2 белоснежный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
30F131 TO-263-2 белоснежный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
99 ₴
149 ₴
STW15NK90Z MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 900 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.55 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
STW15NK90Z MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 900 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.55 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
427.50 ₴
SGW30N60 Транзистор IGBT: N-channel, 41 A при 25°C 600 V, 3-Pin TO-247
SGW30N60 Транзистор IGBT: N-channel, 41 A при 25°C 600 V, 3-Pin TO-247
798.75 ₴
IRLB3036PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 270 А: Rси(вкл): 2.4...2.8 мОм: @Uзатв(ном):
IRLB3036PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 270 А: Rси(вкл): 2.4...2.8 мОм: @Uзатв(ном):
370 ₴
C3M0280090D МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 280mOhm
C3M0280090D МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 280mOhm
647.50 ₴