Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

2Т208А ОС

Код: 2565
Недоступен
140 ₴
2Т208А ОС - фото 1 - id-p847832688

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор 2Т208А ОС

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 89-09гг.

Изготовитель: Кремний

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

SIHG15N80AEF-GE3 MOSFET , N-CH, 800 В, 13 А, TO-247AC
SIHG15N80AEF-GE3 MOSFET , N-CH, 800 В, 13 А, TO-247AC
595 ₴
Транзистор B909M
Транзистор B909M
20 ₴
50 ₴
NPN транзистор 2N3055 15А 60В, усилитель звука
NPN транзистор 2N3055 15А 60В, усилитель звука
84 ₴
93 ₴
2SC4891 SAN
2SC4891 SAN
721.25 ₴
FDP22N50N МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 500 В, 0.185 Ом, 10 В, 5 В
FDP22N50N МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 500 В, 0.185 Ом, 10 В, 5 В
367.50 ₴
STW45N60DM2AG Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 21А, 250Вт
STW45N60DM2AG Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 21А, 250Вт
848.75 ₴
STP80NF10FP MOSFET силовой транзистор — [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 38 А: Rси(вкл): 15 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
STP80NF10FP MOSFET силовой транзистор — [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 38 А: Rси(вкл): 15 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
382.50 ₴
IRGPS46160DPBF IGBT транзистор - TO-274AA: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 240 А: Iк@100°C: 160 А: Uкэ.нас: 2.05 В: tнар: 70 нс: tспада:
IRGPS46160DPBF IGBT транзистор - TO-274AA: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 240 А: Iк@100°C: 160 А: Uкэ.нас: 2.05 В: tнар: 70 нс: tспада:
2 080 ₴
IKP20N60TXKSA1 Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 166Вт, TO220-3
IKP20N60TXKSA1 Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 166Вт, TO220-3
380 ₴
2SB772 (A71151) транзистор биполярный PNP -40В -3A SOT89
2SB772 (A71151) транзистор биполярный PNP -40В -3A SOT89
4.2 (5)
5.37 ₴
Транзистор IRFP4468 (TO-247) /International Rectifier
Транзистор IRFP4468 (TO-247) /International Rectifier
95 ₴
IRGP4066D-EPBF IGBT транзистор - TO-247AD: Uкэ.макс: 600 В: Iк при 25°C: 140 А: Iк при 100°C: 90 А: Uкэ.нас: 1.7 В
IRGP4066D-EPBF IGBT транзистор - TO-247AD: Uкэ.макс: 600 В: Iк при 25°C: 140 А: Iк при 100°C: 90 А: Uкэ.нас: 1.7 В
1 840 ₴
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4
695 ₴
IKW50N65F5FKSA1 IGBT транзистор, 50 А, 1.6 В, 305 Вт, 650 В
IKW50N65F5FKSA1 IGBT транзистор, 50 А, 1.6 В, 305 Вт, 650 В
553.75 ₴