Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

КТ201А

Код: 2508
Недоступен
60 ₴
КТ201А - фото 1 - id-p847759018

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор кремниевый КТ201А

Группа: Транзисторы

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 81-89гг.

Изготовитель: .......

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

Транзистор HY3007P (TO-220) /HUAYI MICROELECTRONICS
Транзистор HY3007P (TO-220) /HUAYI MICROELECTRONICS
18 ₴
STP12NM50 МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 550 В, 0.35 Ом, 10 В, 4 В
STP12NM50 МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 550 В, 0.35 Ом, 10 В, 4 В
380 ₴
IRGPS4067DPBF IGBT транзистор - [TO-274AA]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 240 А: Iк@100°C: 160 А: Uкэ.нас: 1.7 В: tнар: 70 нс: tспада:
IRGPS4067DPBF IGBT транзистор - [TO-274AA]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 240 А: Iк@100°C: 160 А: Uкэ.нас: 1.7 В: tнар: 70 нс: tспада:
2 406.25 ₴
IPW60R018CFD7XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 101 А, 0.015 Ом, TO-247, Through Hole
IPW60R018CFD7XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 101 А, 0.015 Ом, TO-247, Through Hole
3 020 ₴
STW20NM50FD MOSFET силовой транзистор - TO-247-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 20 А: Rси(вкл): 0.25 Ом
STW20NM50FD MOSFET силовой транзистор - TO-247-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 20 А: Rси(вкл): 0.25 Ом
1 291.25 ₴
C3M0280090D МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 280mOhm
C3M0280090D МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 280mOhm
647.50 ₴
FGA40T65SHDF Транзистор 40A 650V Pd - рассеиваемая мощность: 268 Вт
FGA40T65SHDF Транзистор 40A 650V Pd - рассеиваемая мощность: 268 Вт
875 ₴
Транзистор B986
Транзистор B986
20 ₴
33 ₴
IXFH12N90P Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3
IXFH12N90P Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3
1 018.75 ₴
Транзистор IRFBC20S (D2-PAK) /International Rectifier
Транзистор IRFBC20S (D2-PAK) /International Rectifier
43 ₴
IPB120N06S4H1ATMA2 МОП-транзисторы (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2
IPB120N06S4H1ATMA2 МОП-транзисторы (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2
612.50 ₴
ALD110902PAL Тип: Сборки MOSFET: Uси, max, В: 10: Iс, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rси, Ом: 500: Тип: 2N
ALD110902PAL Тип: Сборки MOSFET: Uси, max, В: 10: Iс, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rси, Ом: 500: Тип: 2N
400 ₴
IRFB20N50KPBF MOSFET силовой транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 80 А: Rси(вкл): 0.25 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFB20N50KPBF MOSFET силовой транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 80 А: Rси(вкл): 0.25 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
416.25 ₴
STGW40V60DF IGBT транзистор, 80 А, 1.8 В, 283 Вт, 600 В
STGW40V60DF IGBT транзистор, 80 А, 1.8 В, 283 Вт, 600 В
750 ₴