Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

КТ118Б

Код: 21
Недоступен
90 ₴
КТ118Б - фото 1 - id-p836268426

Характеристики и описание

Наименование: Транзистор АОТ102А

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 91 г.

Изготовитель: Воронезский ЗПП

 

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

D45VH10G Биполярный транзистор - BJT 15A 80V 83W PNP
D45VH10G Биполярный транзистор - BJT 15A 80V 83W PNP
66.25 ₴
AONR36366 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 34А, 11Вт, DFN8, 3x3мм
AONR36366 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 34А, 11Вт, DFN8, 3x3мм
41.25 ₴
IRF9333TRPBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Iс(25°C): 9.2 А: Rси(вкл): 19.4 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRF9333TRPBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Iс(25°C): 9.2 А: Rси(вкл): 19.4 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
67.50 ₴
FQB4N80TM МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 800 В, 2.8 Ом, 10 В
FQB4N80TM МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 800 В, 2.8 Ом, 10 В
73.75 ₴
MJE3439G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 МГц, 15 Вт, 300 мА, 15 hFE
MJE3439G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 МГц, 15 Вт, 300 мА, 15 hFE
60 ₴
AO4884 Транзистор: N-MOSFET x2: полевой: 40В: 8А: 1,3Вт
AO4884 Транзистор: N-MOSFET x2: полевой: 40В: 8А: 1,3Вт
57.50 ₴
IRLB8314PBF Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 120А, Idm: 664А, 125Вт
IRLB8314PBF Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 120А, Idm: 664А, 125Вт
65 ₴
BF721T1G Биполярный транзистор - SOT-89, Тип: PNP, UКЭ(макс): 300 В, IК(макс): 50 мА, Pрасс: 1.5 Вт, Fгран: 60 МГц, h21: 50
BF721T1G Биполярный транзистор - SOT-89, Тип: PNP, UКЭ(макс): 300 В, IК(макс): 50 мА, Pрасс: 1.5 Вт, Fгран: 60 МГц, h21: 50
35 ₴
BFP650H6327XTSA1 Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4 В, 42 ГГц, 500 мВт, 150 мА, 110 hFE
BFP650H6327XTSA1 Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4 В, 42 ГГц, 500 мВт, 150 мА, 110 hFE
33.75 ₴
Транзистор 2SB716
Транзистор 2SB716
20 ₴
49 ₴
2SB988
2SB988
28.75 ₴
Транзистор IGBT MBQ60T65PES
Транзистор IGBT MBQ60T65PES
107.88 ₴
FDS9926A MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9, Тип: N, Uси: 20 В, Iс(25°C): 6.5 А, Rси(вкл): 30 мОм, @Uзатв(ном): 4.5...10 В, Qзатв: 6.2
FDS9926A MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9, Тип: N, Uси: 20 В, Iс(25°C): 6.5 А, Rси(вкл): 30 мОм, @Uзатв(ном): 4.5...10 В, Qзатв: 6.2
65 ₴
IRFRC20TRPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 4.4 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFRC20TRPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 4.4 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
70 ₴