
| Страна производитель | Китай |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-база | 100 В |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 10 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Структура | PNP-Darlington + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-база | -100 V |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | -100 V |
| Макс. напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Макс. постоянный ток коллектора | -10 А |
| Мощность рассеяния | 125 Вт |
| Коэффициент передачи тока (диапазон) | min 500 |