Транзистор полевой AO4606

N и P-ch; 2.0W; N: 30V; 6.9A; 0.028 Ohm; P: 30V; 6A; 0.035 Ohm

Описание

це комплементарная сборка полевых MOSFET-транзисторов, що містить N- и P-канальный ключ в одному корпусі SO-8. Такі збірки применяются у узлах управления питаниям, DC-DC преобразователях, ключах навантаження, синхронних и напівмостових каскадах, де важливі компактність і мала довжина з’єднань.

Технические характеристики

• Тип / канал: комплементарний N+P MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): N: +30 В; P: -30 В
• Максимальний постійний ток стоку (ID): N: 6 А (у картці 6,9 А); P: -6,5 А (у картці -6 А)
• Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): N: +30 А; P: -30 А
• Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): N: до 30 мОм @10 В; P: до 28 мОм @-10 В (актуальний AOS datasheet)
• Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): N: 1,2…2,4 В; P — від’ємна порогова напряжение
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В для обох каналів
• Максимальное мощность розсіювання (PD): 2 Вт на канал/кристал при условиях datasheet
• Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+150 °C
• Тип корпуса: SO-8

Функционал

• Комутація електричного навантаження
• Робои у ключевых каскадах перетворювачів питания

Распиновка

Корпус SO-8, вид сверху, точка/виїмка определяет вывод 1. За офіційним AOS datasheet: 1. S2 — Source N-канала. 2. G2 — Gate N-канала. 3. S1 — Source P-канала. 4. G1 — Gate P-канала. 5. D1 — Drain P-канала. 6. D1 — Drain P-канала. 7. D2 — Drain N-канала. 8. D2 — Drain N-канала.