Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

Транзистор KTC8050-D (TO-92)

Код: C8050-D
Недоступен
3.60 ₴
Транзистор KTC8050-D (TO-92) - фото 1 - id-p711269974

Характеристики и описание

Тип транзистораБиполярный
Материал корпусаПластик
Тип биполярного транзистораN-P-N
Производитель
KEC
Биполярный транзистор  KTC8050-D;  30V; 800mA; 625mW Корпус  (TO-92)   

Техническая документация: 

http://www.mantech.co.za/datasheets/products/KTC8050.pdf

Похожие товары по характеристикам

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

IPD80R1K4P7 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2,7А, 32Вт
IPD80R1K4P7 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2,7А, 32Вт
116.25 ₴
NCEP026N10T MOSFET, N -Channel, 300 W, 100 V, 230 A, TO-247
NCEP026N10T MOSFET, N -Channel, 300 W, 100 V, 230 A, TO-247
265 ₴
STF7NM60N Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.84 Ом, 4.7 А
STF7NM60N Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.84 Ом, 4.7 А
100 ₴
2N6667G Биполярный транзистор - TO-220AB: Тип: PNP Darl.: UКЭ(макс): 60 В: IК(макс): 10 А: Pрасс: 65 Вт: h21: 1000...20000: Пара:
2N6667G Биполярный транзистор - TO-220AB: Тип: PNP Darl.: UКЭ(макс): 60 В: IК(макс): 10 А: Pрасс: 65 Вт: h21: 1000...20000: Пара:
97.50 ₴
SP80N03BGHTQ 80V 130A 160W 3.8mΩ@10V,20A 4V 1 N-channel TO-220 MOSFETs
SP80N03BGHTQ 80V 130A 160W 3.8mΩ@10V,20A 4V 1 N-channel TO-220 MOSFETs
133.75 ₴
STFH10N60M2 МОП-транзистор N-канальный 600 В, 0,55 Ом, тип 7,5 А
STFH10N60M2 МОП-транзистор N-канальный 600 В, 0,55 Ом, тип 7,5 А
182.50 ₴
STP10NK80ZFP Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A
STP10NK80ZFP Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A
211.25 ₴
SPP04N80C3 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 4 А: Rси(вкл): 1.3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
SPP04N80C3 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 4 А: Rси(вкл): 1.3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
240 ₴
IRLB4030PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 180 А: Rси(вкл): 4.3...4.5 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
IRLB4030PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 180 А: Rси(вкл): 4.3...4.5 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
280 ₴
IRF9520NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс(25°C): 6.8 А: Rси(вкл): 0.48 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRF9520NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс(25°C): 6.8 А: Rси(вкл): 0.48 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
185 ₴
TIP137 Биполярный транзистор - [TO-220-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 100 В: UКЭ(пад): 4 В: IК(макс): 8 А
TIP137 Биполярный транзистор - [TO-220-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 100 В: UКЭ(пад): 4 В: IК(макс): 8 А
105 ₴
ULN2065B Периферийный драйвер - Выходов: 4: Iout.max: 1.5 А: Uout.max: 15 В: Примечание: 80 V - 1.5 A quad Darlington switches
ULN2065B Периферийный драйвер - Выходов: 4: Iout.max: 1.5 А: Uout.max: 15 В: Примечание: 80 V - 1.5 A quad Darlington switches
261.25 ₴
IRF7495PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 100 В: Rси(вкл): 22 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В:
IRF7495PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 100 В: Rси(вкл): 22 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В:
126.25 ₴
CRG40T65AN5H 250W 40A 650V TO-3PN IGBT Transistors
CRG40T65AN5H 250W 40A 650V TO-3PN IGBT Transistors
122.50 ₴