ИС, NVSRAM MR2A16ACYS35 (Everspin)

ИС, NVSRAM MR2A16ACYS35 (Everspin)

IC MRAM 4MBIT 35NS (256K x 16) 3..3.6 V -40.85°C 44-TSOP II

MR2A16A
Магниторезистивное ОЗУ 256К ? 16

Характеристики

Быстрый цикл чтения/записи: 35 нс
Синхронизация соответствует статическим ОЗУ, возможность использования существующих контроллеров статических ОЗУ без изменения конструкции
Неограниченное число циклов чтения/записи
Сохранение данных свыше 20 лет
Одна микросхема памяти заменяет флэш-память, статическое ОЗУ, электрически перепрограммируемое ПЗУ и статическое ОЗУ с автономной батареей, обеспечивая простоту и эффективность конструкции
Замена статического ОЗУ с автономной батареей магниторезистивным У повышает надежность
Напряжение питания 3,3 В
Автоматическая защита данных при отключении питания
Коммерческий, промышленный и автомобильный диапазон температур
Корпуса TTSOP II и BGA

Уточнить наличие MR2A16ACYS35

Техническая спецификация (datasheet) на MR2A16ACYS35