




| Тип монтажа | Ручной монтаж |
|---|---|
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 80 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.6 А |
| Страна производитель | Польша |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Техническое описание: | скачать PDF в спецификации |
|---|

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 800mW | 80V | 40V | 7V | 1A | 175°C | 30MHz | 6 | 40MIN |
Производитель: MISTRAL
Сфера применения: Medium Power, General Purpose
Популярность: 2758
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
| Общий вид транзистора BC211. | Цоколевка транзистора BC211. |
Обозначение контактов:
Международное: C ― коллектор, B ― база, E ― эмиттер.
Россиянское: К ― коллектор, Б ― база, Э ― эмиттер.