
| Производитель | Intel |
|---|---|
| Назначение | Для настольного ПК |
| Семейство процессора | Core 2 |
| Комплектация | Tray |
| Разъемы | LGA775 |
| Внутренняя тактовая частота | 2.93 ГГц |
| Количество ядер процессора | 2 |
| Тепловыделение | 65 Вт |
| Гарантийный срок | 6 мес |
| Состояние | Б/У |
| Разделенный кэш L2 | no |
|---|---|
| Частота шины | 1066 МГц / 1333 МГц |
| Техпроцесс | 45 |
| Ядро | Wolfdale |
| Socket | LGA775 |
| Поддержка 3DNow | no |
| Объем кэша L1 | 64 |
| Объем кэша L2 | 3072...6144 |
| Количество ядер | 2 |
| Напряжение на ядре | 0.85 |
| Поддержка HT | no |
| Коэффициент умножения | 8...11.5 |
| Максимальная рабочая температура | 72.4...74.1 |
| Встроенный контроллер памяти | no |
| Поддержка Virtualization Technology | optional |
| Поддержка NX Bit | yes |
| Поддержка SSE2 | yes |
| Поддержка SSE4 | yes |
| Поддержка SSE3 | yes |
| Поддержка AMD64/EM64T | yes |
Процессор Intel Core2 Duo E7500 2.93GHz/3M/1066 s775, tray
Вся важная информация о процессоре Intel Core 2 Duo E7500 находится на его теплораспределительную крышку: тактовая частота процессора 2,93 ГГц, объем кэш-памяти второго уровня 3 МБ, тактовая частота системной шины 1066 МГц. А для работы этого процессора требуется материнская плата с модулем питания, который соответствует требованиям PCG 06.

Как и положено, процессор поддерживает соответствующий позиционированию набор фирменных технологий:

К остальным фирменным особенностям процессора Intel Core 2 Duo E7500, которые перечислены в примечаниях спецификации, относятся:
Спецификация Intel Core 2 Duo E7500
|
Модель |
Intel Core 2 Duo E7500 |
|
Маркировка |
SLB9Z |
|
Процессорный разъем |
Socket T (LGA775) |
|
Тактовая частота, МГц |
2930 |
|
Множитель |
11 |
|
Частота шины, МГц |
1066 |
|
Объем кэша L1, КБ |
64 x2 |
|
Объем кэша L2, КБ |
3072 |
|
Ядро |
Wolfdale (ревизия R0) |
|
Количество ядер |
2 |
|
Поддержка инструкций |
MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, EM64T |
|
Напряжение питания, В |
0,85-1,3625 |
|
Рассеиваемая мощность, Вт |
65 |
|
Критическая температура, °C |
74,1 |
|
Техпроцесс |
45 нм |
|
Поддержка технологий |
Enhanced Halt State (C1E) |