




| Тип монтажа | Ручной монтаж |
|---|---|
| Максимально допустимый ток стока | 110 А |
| Производитель | International Rectifier |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Материал корпуса | Пластик |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
|---|---|
| MOSFET N-CH | 55V 110A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Потужний польовий N-канальний транзистор IRFB3206PbF MOSFET (60V, 210A, 300W)
IRFB3206PbF — це високоефективний, надпотужний кремнієвий N-канальний MOSFET транзистор з ізольованим затвором сімейства HEXFET® Power MOSFET, розроблений компанією International Rectifier
). Компонент виконаний у класичному силовому корпусі TO-220AB і призначений для наскрізного вивідного монтажу (THT) на плату.
Головна перевага цієї моделі — екстремально низький опір переходу у відкритому стані (\(R_{DS(on)}\)), який становить всього 2.4–3 мОм. Це мінімізує теплові втрати на кристалі під час комутації колосальних струмів. Транзистор здатний витримувати постійний струм стоку до 210 А (технічний ліміт кремнієвого кристала) та розсіювати теплову потужність до 300 Вт за належного охолодження. Транзистор оптимізований для швидкісного сильного перемикання ланцюгів і має покращену стійкість до лавинного пробою (Avalanche Ruggedness).
⚙️ Основні технічні характеристики
🚀 Галузі застосування
Завдяки своїм унікальним частотним та струмовим характеристикам, IRFB3206PBF масово використовується у високоінтенсивних та низьковольтних схемах живлення: