





| Страна производитель | Чехия |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 75 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.6 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 75 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Исполнение | Дискретное |
|---|


|
Наименование производителя: 2T6551 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 175 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: Статический коэффициент передачи тока (hfe): 26 Корпус транзистора: TO5 |
|
|---|---|
| Изображение |
|