Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Код: 7000002376
В наличии
12 ₴
Заказ у продавца — от 100 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Оплата на счетIBAN UA343220010000026004380048545
Характеристики и описание
| Ключевые слова | Чип 30F131,GT30F131,TO263-2,Транзистор IGBT |
|---|
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
- Мощность: 140 Вт
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
