Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SEMIX603GB12E4SICP, 600 А, 1,2 кВ (SEMIX603GB12E4SICP 27895300)
Код: TM020420
В наличии
36 960 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 6160 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Максимально допустимый ток коллектора | 600 А |
|---|---|
| Тип монтажа | Вставной |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SEMiX® 3p |
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
IGBT модуль производства SEMIKRON DANFOSS с моделью SEMIX603GB12E4SICP. Устройство имеет максимальный ток коллектора 600 А и максимальное обратное напряжение 1,2 кВ. Корпус выполнен в формате SEMiX® 3p.
- Максимальный ток коллектора: 600 А
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Тип монтажа: вставной
- Корпус: SEMiX® 3p
- Структура: транзистор/транзистор
Модуль характеризуется максимально допустимым током коллектора 600 А. Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером равно ±20 В.
Конструкция и монтажВнутренняя структура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор». Топология модуля включает полупроводниковый мост IGBT и термистор. Монтаж выполняется вставным способом.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
