
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 28 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD30NF06LT4 — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе DPAK. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 25 А при мощности рассеивания 70 Вт.
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 25 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 28 мОм, что определяет тепловые потери при работе. Максимальная мощность рассеивания равна 70 Вт, а напряжение затвор-исток ограничено 20 В.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в поверхностном корпусе DPAK. Используется технология SuperMesh™. Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда.
Комплектация и версияВ набор поставляется 20 шт. транзисторов. Компонент имеет версию ESD, что указывает на наличие защиты от электростатического разряда.