Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW30H60DFB, 600 В, 120 А, TO247-3 (набор 10 шт.)
Код: TM020834
В наличии
2 970 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 495 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 260 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT STGW30H60DFB от STMicroelectronics в корпусе TO247-3. Устройство рассчитано на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и ток коллектора 120 А. В комплект входит 10 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 120 А
- Максимальная мощность рассеивания: 260 Вт
- Корпус: TO247-3
- Количество в комплекте: 10 шт.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток коллектора равен 120 А. Максимальная мощность рассеивания — 260 Вт. Заряд затвора указан как 149 нКл, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтажТранзистор имеет штыревой тип монтажа и выполнен в корпусе TO247-3. В конструкции предусмотрен интегрированный антипараллельный диод (integrated anti-parallel diode). Тип транзистора: IGBT.
КомплектацияВ набор входит 10 транзисторов STGW30H60DFB.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
