
| Максимальная мощность рассеивания | 342 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 180 А |
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 1200 В |
| Максимальное прямое напряжение | 2 В |
| Максимальный обратный ток | 35 мкА |
| Максимальный прямой ток | 40 А |
| Состояние | Новое |
| Тип диода | Диод Шоттки |
| Тип монтажа | Вставной |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-2 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технология | SiC |
Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 — полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-2. Устройство имеет максимальное постоянное обратное напряжение 1200 В и максимальный прямой ток 40 А. В комплекте поставляется 2 штуки.
Максимальное постоянное обратное напряжение диода составляет 1200 В. Максимальный прямой ток равен 40 А, а максимальное прямое напряжение — 2 В. Максимально допустимый прямой импульсный ток достигает 180 А, а максимальный обратный ток ограничен значением 35 мкА.
Мощность и конструкцияМаксимальная мощность рассеивания компонента составляет 342 Вт. Диод изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) и имеет структуру «одиночный диод». Монтаж выполняется выводным способом (THT) в корпусе TO247-2.
КомплектацияВ наборе находится 2 штуки диодов BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1.