Prom – найбільший маркетплейс України

Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1, SiC, 1200 В, 40 А, TO247-2 (2 шт.)

Код: TM017949
В наличии

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 553 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1, SiC, 1200 В, 40 А, TO247-2 (2 шт.) - фото 1 - id-p3243337978

Характеристики и описание

Основные

Максимальная мощность рассеивания342 Вт
Максимально допустимый прямой импульсный ток180 А
Максимальное постоянное обратное напряжение1200 В
Максимальное прямое напряжение2 В
Максимальный обратный ток35 мкА
Максимальный прямой ток40 А
СостояниеНовое
Тип диодаДиод Шоттки

Дополнительные характеристики

Тип монтажаВставной

Пользовательские характеристики

Гарантийный срок12 міс
Количество в комплекте2 шт.
КорпусTO247-2
ПроизводительBASiC SEMICONDUCTOR
ТехнологияSiC

Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 — полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-2. Устройство имеет максимальное постоянное обратное напряжение 1200 В и максимальный прямой ток 40 А. В комплекте поставляется 2 штуки.

  • Тип диода: Шоттки
  • Технология: SiC (карбид кремния)
  • Максимальное постоянное обратное напряжение: 1200 В
  • Максимальный прямой ток: 40 А
  • Максимальная мощность рассеивания: 342 Вт
  • Корпус: TO247-2, монтаж THT
  • Количество в комплекте: 2 шт.
Электрические параметры

Максимальное постоянное обратное напряжение диода составляет 1200 В. Максимальный прямой ток равен 40 А, а максимальное прямое напряжение — 2 В. Максимально допустимый прямой импульсный ток достигает 180 А, а максимальный обратный ток ограничен значением 35 мкА.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания компонента составляет 342 Вт. Диод изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) и имеет структуру «одиночный диод». Монтаж выполняется выводным способом (THT) в корпусе TO247-2.

Комплектация

В наборе находится 2 штуки диодов BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Iskra
Iskra
94% положительных отзывов

Похожее у других продавцов