Prom – найбільший маркетплейс України

Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF, SiC, 650 В, 20 А, TO3PF (10 шт.)

Код: TM034969
В наличии

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 523 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF, SiC, 650 В, 20 А, TO3PF (10 шт.) - фото 1 - id-p3243324774

Характеристики и описание

Основные

Максимальная мощность рассеивания33 Вт
Максимально допустимый прямой импульсный ток70 А
Максимальное постоянное обратное напряжение650 В
Максимальное прямое напряжение1.62 В
Максимальный обратный ток20 мкА
Максимальный прямой ток20 А
СостояниеНовое
Тип диодаДиод Шоттки

Дополнительные характеристики

Тип монтажаВставной

Пользовательские характеристики

Гарантийный срок12 міс
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO3PF
ПроизводительBASiC SEMICONDUCTOR
ТехнологияSiC

Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF — полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO3PF. Устройство имеет максимальное постоянное обратное напряжение 650 В и максимальный прямой ток 20 А.

  • Тип диода: Шоттки
  • Технология: SiC
  • Максимальное постоянное обратное напряжение: 650 В
  • Максимальный прямой ток: 20 А
  • Максимальное прямое напряжение: 1,62 В
  • Максимальная мощность рассеивания: 33 Вт
  • Корпус: TO3PF
  • Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры

Диод рассчитан на работу с постоянным обратным напряжением до 650 В. Максимальный прямой ток составляет 20 А, а максимальное прямое напряжение — 1,62 В. Максимальный обратный ток равен 20 мкА.

Импульсные характеристики и мощность

Максимально допустимый прямой импульсный ток достигает 70 А. Максимальная мощность рассеивания компонента составляет 33 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии SiC. Полупроводник имеет структуру «двойной, общий катод».

В комплекте поставляется 10 диодов.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Iskra
Iskra
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов