
| Максимальная мощность рассеивания | 33 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 70 А |
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 650 В |
| Максимальное прямое напряжение | 1.62 В |
| Максимальный обратный ток | 20 мкА |
| Максимальный прямой ток | 20 А |
| Состояние | Новое |
| Тип диода | Диод Шоттки |
| Тип монтажа | Вставной |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO3PF |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технология | SiC |
Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF — полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO3PF. Устройство имеет максимальное постоянное обратное напряжение 650 В и максимальный прямой ток 20 А.
Диод рассчитан на работу с постоянным обратным напряжением до 650 В. Максимальный прямой ток составляет 20 А, а максимальное прямое напряжение — 1,62 В. Максимальный обратный ток равен 20 мкА.
Импульсные характеристики и мощностьМаксимально допустимый прямой импульсный ток достигает 70 А. Максимальная мощность рассеивания компонента составляет 33 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент изготовлен по технологии SiC. Полупроводник имеет структуру «двойной, общий катод».
В комплекте поставляется 10 диодов.