
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 188 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.1 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PowerFLAT 5x6 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL260N4F7 — это полевой транзистор с каналом обогащения и максимально допустимым током стока 120 А. Модель выполнена в корпусе PowerFLAT 5x6 и имеет максимальную мощность рассеивания 188 Вт.
Транзистор работает с максимальным напряжением сток-исток 40 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 120 А, а импульсный ток может достигать 480 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1.1 мОм.
Конструкция и монтажКомпонент имеет поверхностный тип монтажа и выполнен в корпусе PowerFLAT 5x6. Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — обогащаемый. Заряд затвора составляет 72 нКл.
Импульсные характеристики и заряд затвораИмпульсный ток стока (Idm) составляет 480 А. Заряд затвора (Qg) равен 72 нКл. В набор поставляется 10 транзисторов STMicroelectronics STL260N4F7.