
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 650 В |
|---|---|
| Максимальное прямое напряжение | 1.8 В |
| Состояние | Новое |
| Производитель | MPS |
| Время готовности | 10 нс |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Корпус | SOT227B |
| Технология | SiC |
Диодный модуль GeneSiC GD2X100MPS06N — это полупроводниковый компонент с технологией SiC.
Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 650 В и номинальный ток проводимости 108 А на канал.
Технология SiC и скоростьТехнология SiC. Время восстановления компонента составляет 10 нс.
Конструкция и монтажМодуль имеет двойную независимую структуру и выполнен в корпусе SOT227B. Механический и электрический монтаж осуществляется с помощью винтового крепления.