
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 95 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 39 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 20 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06LT4 — это полевой транзистор с каналом обогащения (униполярный) в корпусе D2PAK. Комплект состоит из 20 единиц. Основные параметры: максимальное напряжение сток-исток 60 В, ток стока 39 А, мощность рассеивания 95 Вт.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 39 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 95 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 20 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 16 В.
Конструкция и монтажИзделие выполнено для поверхностного монтажа в корпусе D2PAK. Используется технология SuperMesh™. Тип монтажа — поверхностный.
Комплектация и версияВ комплекте поставляется 20 транзисторов. Версия компонента обозначена как ESD.