Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR MMFTN138K, 60 В, 0,36 А, 0,35 Вт, SOT23, ESD (набор 150 шт.)
Код: TM204800
В наличии
2 510 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 418 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diotec Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.36 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Полевой транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR MMFTN138K в версии ESD с напряжением сток-исток 60 В и током стока 0,36 А. В наборе 150 шт.
- Тип: N-MOSFET
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 0,36 А
- Импульсный ток стока: 1,2 А
- Сопротивление в состоянии проводимости: 6,5 Ом
- Количество в наборе: 150 шт.
Импульсный ток стока составляет 1,2 А, рассеиваемая мощность — 0,35 Вт. Напряжение затвор-исток — ±20 В, сопротивление в состоянии проводимости — 6,5 Ом, заряд затвора — 1,3 нКл. Канал обогащенного типа, транзистор униполярный.
Корпус и монтажТранзистор выпускается в корпусе SOT23, монтаж — поверхностный (SMD). Символ TME — MMFTN138K-DIO.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
