Транзистор IGBT IXYS IXXH30N60B3D1, 600 В, 115 А, TO247AD (набор 3 шт.)
Код: TM203742
В наличии
2 060 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 343 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 270 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 3 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO247AD |
Транзистор IGBT IXYS IXXH30N60B3D1 — полупроводниковый прибор технологии GenX3™ в корпусе TO247AD. Комплект состоит из 3 единиц с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 600 В.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 115 А
- Максимальная мощность рассеивания: 270 Вт
- Корпус: TO247AD
- Количество в комплекте: 3 шт.
Транзистор рассчитан на максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 600 В и максимально допустимый ток коллектора 115 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 270 Вт. Заряд затвора равен 39 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтажПрибор изготовлен по планарной технологии XPT™ и относится к семейству GenX3™. Корпус TO247AD обеспечивает штыревой тип монтажа.
КомплектацияВ набор поставляется 3 транзистора IXXH30N60B3D1.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
