Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics IRF630, 200 В, 5.7 А, TO220-3 набор 20 шт.
Код: TM203445
В наличии
2 920 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 487 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 75 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 400 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MESH OVERLAY™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics IRF630 — это полевой транзистор с каналом обогащения, однополярный (unipolarny) в корпусе TO220-3. Модель изготовлена по технологии MESH OVERLAY™ II в версии ESD.
- Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В
- Максимально допустимый ток стока: 5.7 А
- Корпус: TO220-3, штыревой монтаж
- Технология: MESH OVERLAY™ II
- Количество в комплекте: 20 шт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 200 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 5.7 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 400 mOm.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO220-3 с штыревым типом монтажа. Максимальная мощность рассеивания — 75 Вт. Версия компонента обозначена как ESD.
КомплектацияВ комплект поставки входит 20 шт. транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
