Транзистор N-MOSFET SiC Infineon IMZA65R048M1HXKSA1, 650 В, 24 А, 125 Вт (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET на основе карбида кремния (SiC) от бренда Infineon Technologies. Модель IMZA65R048M1HXKSA1 характеризуется напряжением сток-исток 650 В и током стока 24 А. В комплекте поставляется 3 единицы компонента.

• Напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 24 А
• Мощность рассеивания: 125 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 63 мОм
• Корпус: TO247-4
• Количество в наборе: 3 шт.

Максимальное напряжение сток-исток составляет 650 В, что определяет рабочий диапазон транзистора. Максимально допустимый ток стока равен 24 А, а пиковый ток в импульсном режиме — 100 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) зафиксировано на уровне 63 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 125 Вт.

Компонент изготовлен по технологии CoolSiC™ и имеет корпус TO247-4. Тип монтажа — выводной. Транзистор является полевым, с каналом обогащения и униполярной поляризацией. Корпус оснащен выводом Кельвина.

В наборе находится 3 транзистора. Количество в комплекте указано как 3 шт.