Транзистор IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2, 650 В, 50 А, 714 Вт, TO247 (набор 10 шт.)
Код: TM202597
В наличии
3 570 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 595 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 714 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 150 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO247 |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Транзистор IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2 в корпусе TO247: напряжение коллектор-эмиттер — 650 В, ток коллектора — 50 А, мощность рассеивания — 714 Вт. В наборе 10 шт.
- Тип: транзистор IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 50 А
- Мощность рассеивания: 714 Вт
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Корпус: TO247
Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В, заряд затвора — 0,35 мкКл. Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод.
МонтажТип монтажа — вставной.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
