
| Максимальная мощность рассеивания | 105 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 40 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO247 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор IGBT производства ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, модель AOKS40B65H2AL. Это полупроводниковый прибор в корпусе TO247 с максимальным током коллектора 40 А и напряжением коллектор-эмиттер 650 В. В комплекте поставляется 10 единиц.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимальный ток коллектора 40 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 105 Вт. Согласно данным производителя, энергия выключения равна 0,54 мДж, а энергия включения — 1,17 мДж.
Конструкция и монтажПрибор выполнен в корпусе TO247 с выводным типом монтажа. Согласно данным, это IGBT-транзистор. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±30 В, а напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 2,05 В. Заряд затвора равен 61 нКл.
КомплектацияВ наборе содержится 10 транзисторов.