
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 179 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | MDmesh™ В |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF21N65M5 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220FP для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 5 единиц.
Прибор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения типа. Максимальное напряжение сток-исток составляет 650 В, а постоянный ток стока — 10,7 А. Мощность рассеивания равна 30 Вт.
Особенности конструкцииТранзистор изготовлен по технологии MDmesh™ V. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 179 мОм. Корпус TO220FP.
Защита и комплектацияВерсия ESD. В комплекте поставляется 5 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±25 В. Прибор является униполярным.